161A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Infineon TechnologiesPanjit International Inc.
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
30 V80 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V7V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.3 毫欧 @ 15A,10V3.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA3.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
50 nC @ 4.5 V76 nC @ 7 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4380 pF @ 15 V7430 pF @ 40 V
功率耗散(最大值)
140W(Tc)156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
I-PAK(LF701)IPAK(TO-251AA)TO-252AA (DPAK)TO-263
封装/外壳
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-252-4,DPak(3 引线 + 接片)TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
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/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IRLR7843TRPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Infineon Technologies
30,686
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
2,000 : ¥4.48670
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
161A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR7843TRLPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Infineon Technologies
4,139
现货
1 : ¥8.95000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.78430
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
161A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
770
现货
1 : ¥18.55000
剪切带(CT)
800 : ¥10.39811
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
161A(Tc)
7V,10V
3.4 毫欧 @ 50A,10V
3.75V @ 250µA
76 nC @ 7 V
±20V
7430 pF @ 40 V
-
156W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO252-3
IRLR7843CPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
600 : ¥6.39098
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
161A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
IPAK (TO-251)
IRLU7843PBF
MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Infineon Technologies
0
现货
3,000 : ¥6.70522
管件
管件
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
161A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
IPAK(TO-251AA)
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO252-3
IRLR7843TR
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
2,000 : ¥13.47779
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
161A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263
IRLU7843-701PBF
MOSFET N-CH 30V 161A IPAK
Infineon Technologies
0
现货
300 : ¥14.56157
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
161A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
I-PAK(LF701)
TO-252-4,DPak(3 引线 + 接片)
TO252-3
IRLR7843CTRPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
1 : ¥16.17000
剪切带(CT)
6,000 : ¥7.02629
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
161A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR7843PBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
Digi-Key 停止提供
管件
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
161A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IRLR7843TRRPBF
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
161A(Tc)
4.5V,10V
3.3 毫欧 @ 15A,10V
2.3V @ 250µA
50 nC @ 4.5 V
±20V
4380 pF @ 15 V
-
140W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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161A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。