15A(Ta),40A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesRohm Semiconductor
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
不适用于新设计停产最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.4 毫欧 @ 20A,10V4.5 毫欧 @ 20A,10V5.8 毫欧 @ 20A,10V6.3 毫欧 @ 20A,10V7.2 毫欧 @ 40A,10V7.5 毫欧 @ 20A,10V8.8 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA2V @ 30µA2.2V @ 250µA2.3V @ 250µA2.5V @ 1mA2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.5 nC @ 10 V10 nC @ 10 V15 nC @ 10 V18 nC @ 5 V24 nC @ 10 V30 nC @ 10 V46 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
590 pF @ 15 V650 pF @ 20 V950 pF @ 15 V1380 pF @ 15 V2230 pF @ 15 V2400 pF @ 15 V3600 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),27W(Tc)2.1W(Ta),45W(Tc)2.1W(Ta),48W(Tc)2.5W(Ta),38W(Tc)2.8W(Ta),60W(Tc)3W(Ta),22W(Tc)3.1W(Ta),25W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-DFN-EP(3x3)8-DFN(3x3)8-HSOPPG-TDSON-8-1PG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-FL
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SMD,扁平引线
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON7400A
MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
55,246
现货
1 : ¥3.33000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.05759
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V15A(Ta),40A(Tc)4.5V,10V7.5 毫欧 @ 20A,10V2.5V @ 250µA24 nC @ 10 V±20V1380 pF @ 15 V-3.1W(Ta),25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-DFN-EP(3x3)8-PowerVDFN
TSDSON-8
BSZ0506NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Infineon Technologies
71,274
现货
1 : ¥8.37000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.29415
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V15A(Ta),40A(Tc)4.5V,10V4.4 毫欧 @ 20A,10V2V @ 250µA15 nC @ 10 V±20V950 pF @ 15 V-2.1W(Ta),27W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-TSDSON-8-FL8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ063N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 15A/40A TSDSON
Infineon Technologies
12,778
现货
1 : ¥8.86000
剪切带(CT)
5,000 : ¥3.35814
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)40 V15A(Ta),40A(Tc)4.5V,10V6.3 毫欧 @ 20A,10V2.3V @ 250µA9.5 nC @ 10 V±20V650 pF @ 20 V-2.5W(Ta),38W(Tc)-55°C ~ 175°C(TJ)表面贴装型PG-TSDSON-8-FL8-PowerTDFN
HSOP8
RS1E150GNTB
MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP
Rohm Semiconductor
2,280
现货
1 : ¥5.37000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.80460
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V15A(Ta),40A(Tc)4.5V,10V8.8 毫欧 @ 15A,10V2.5V @ 1mA10 nC @ 10 V±20V590 pF @ 15 V-3W(Ta),22W(Tc)150°C(TJ)表面贴装型8-HSOP8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ050N03MSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
9,663
现货
1 : ¥6.99000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.52406
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V15A(Ta),40A(Tc)4.5V,10V4.5 毫欧 @ 20A,10V2V @ 250µA46 nC @ 10 V±20V3600 pF @ 15 V-2.1W(Ta),48W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-TSDSON-88-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ058N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
0
现货
5,000 : ¥2.70064
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V15A(Ta),40A(Tc)4.5V,10V5.8 毫欧 @ 20A,10V2.2V @ 250µA30 nC @ 10 V±20V2400 pF @ 15 V-2.1W(Ta),45W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-TSDSON-88-PowerTDFN
PG-TDSON-8-1
BSC072N025S G
MOSFET N-CH 25V 15A/40A TDSON
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产N 通道MOSFET(金属氧化物)25 V15A(Ta),40A(Tc)4.5V,10V7.2 毫欧 @ 40A,10V2V @ 30µA18 nC @ 5 V±20V2230 pF @ 15 V-2.8W(Ta),60W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型PG-TDSON-8-18-PowerTDFN
8-DFN (3x2)
AON7400AL
MOSFET N-CH 30V 15A/40A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
0
现货
在售
-
卷带(TR)
在售N 通道MOSFET(金属氧化物)30 V15A(Ta),40A(Tc)4.5V,10V7.5 毫欧 @ 20A,10V2.5V @ 250µA24 nC @ 10 V±20V1380 pF @ 15 V-3.1W(Ta),25W(Tc)-55°C ~ 150°C(TJ)表面贴装型8-DFN(3x3)8-SMD,扁平引线
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15A(Ta),40A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。