14.5A(Ta) 单 FET,MOSFET

结果 : 10
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedInfineon Technologiesonsemi
系列
-HEXFET®PowerTrench®PowerTrench®, SyncFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
Digi-Key 停止提供停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
28 V30 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
5 毫欧 @ 20A,10V6 毫欧 @ 14.5A,10V7.2 毫欧 @ 14.5A,10V7.5 毫欧 @ 10A,10V7.8 毫欧 @ 14.5A,10V8.5 毫欧 @ 15A,4.5V9 毫欧 @ 14.5A,10V-
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA2.1V @ 250µA2.25V @ 250µA3V @ 1mA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
32 nC @ 10 V46.9 nC @ 4.5 V63 nC @ 10 V75 nC @ 5 V118 nC @ 10 V124 nC @ 10 V126.2 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1420 pF @ 15 V2510 pF @ 15 V4342 pF @ 15 V4480 pF @ 15 V4700 pF @ 15 V4700 pF @ 25 V6234 pF @ 15 V7300 pF @ 16 V
功率耗散(最大值)
1.68W(Ta)2.18W(Ta)2.5W(Ta)3.1W(Ta)-
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
供应商器件封装
8-SO8-SOICPowerDI5060-8TO-252-3
封装/外壳
8-PowerTDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
10结果
应用的筛选条件 删除全部

显示
/ 10
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-SOIC
FDS6673BZ
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
onsemi
33,174
现货
1 : ¥10.34000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.28066
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.5A(Ta)
4.5V,10V
7.8 毫欧 @ 14.5A,10V
3V @ 250µA
124 nC @ 10 V
±25V
4700 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
2,727
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.03235
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.5A(Ta)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 14.5A,10V
2.25V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1420 pF @ 15 V
-
3.1W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
DMPH4015SPSQ-13
DMP3010LPS-13
MOSFET P-CH 30V 14.5A PWRDI5060
Diodes Incorporated
2,250
现货
72,500
工厂
1 : ¥8.62000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.56535
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.5A(Ta)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 10A,10V
2.1V @ 250µA
126.2 nC @ 10 V
±20V
6234 pF @ 15 V
-
2.18W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
8-SOIC
FDS6676AS
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.5A(Ta)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 14.5A,10V
3V @ 1mA
63 nC @ 10 V
±20V
2510 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS6673BZ-F085
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
onsemi
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.5A(Ta)
4.5V,10V
7.8 毫欧 @ 14.5A,10V
3V @ 250µA
124 nC @ 10 V
±25V
4700 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
8-SOIC
FDS6673AZ
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
onsemi
0
现货
2,500 : ¥5.26312
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.5A(Ta)
4.5V,10V
7.2 毫欧 @ 14.5A,10V
3V @ 250µA
118 nC @ 10 V
±25V
4480 pF @ 15 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7809ATR
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
4,000 : ¥12.83598
卷带(TR)
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.5A(Ta)
4.5V
8.5 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
75 nC @ 5 V
±12V
7300 pF @ 16 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7809A
MOSFET N-CH 30V 14.5A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
95 : ¥17.91053
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.5A(Ta)
4.5V
8.5 毫欧 @ 15A,4.5V
1V @ 250µA
75 nC @ 5 V
±12V
7300 pF @ 16 V
-
2.5W(Ta)
-
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
IRF7809PBF
MOSFET N-CH 28V 14.5A 8SO
Infineon Technologies
0
现货
190 : ¥23.59732
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
28 V
14.5A(Ta)
4.5V
-
1V @ 250µA
-
±12V
-
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-252-2
DMN3005LK3-13
MOSFET N-CH 30V 14.5A TO252-3
Diodes Incorporated
0
现货
Digi-Key 停止提供
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Key 停止提供
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
14.5A(Ta)
4.5V,10V
5 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
46.9 nC @ 4.5 V
±20V
4342 pF @ 15 V
-
1.68W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
显示
/ 10

14.5A(Ta) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。