13A(Ta),60A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 5
制造商
Diodes IncorporatedonsemiPanjit International Inc.
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V60 V80 V100 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.8V,4.5V4.5V,10V6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 20A,10V7.65 毫欧 @ 13A,10V8 毫欧 @ 13A,10V8 毫欧 @ 8A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA2V @ 250µA4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
46.8 nC @ 4.5 V50.4 nC @ 10 V55 nC @ 10 V58 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2713 pF @ 30 V3000 pF @ 50 V4120 pF @ 50 V4659 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
2W(Ta),60W(Tc)2.2W(Ta),41W(Tc)2.5W(Ta),104W(Tc)
供应商器件封装
8-PQFN(5x6)DFN3333-8POWERDI3333-8
封装/外壳
8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerDI3333-8
DMT6008LFG-7
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Diodes Incorporated
3,481
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
2,000 : ¥2.71869
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),60A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
50.4 nC @ 10 V
±12V
2713 pF @ 30 V
-
2.2W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
8-PQFN
FDMS86322
MOSFET N-CH 80V 13A/60A 8PQFN
onsemi
5,341
现货
1 : ¥20.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.15293
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
13A(Ta),60A(Tc)
6V,10V
7.65 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
55 nC @ 10 V
±20V
3000 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
8-PQFN
FDMS86101A
MOSFET N-CH 100V 13A/60A 8PQFN
onsemi
3,024
现货
1 : ¥24.79000
剪切带(CT)
3,000 : ¥12.07360
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
13A(Ta),60A(Tc)
6V,10V
8 毫欧 @ 13A,10V
4V @ 250µA
58 nC @ 10 V
±20V
4120 pF @ 50 V
-
2.5W(Ta),104W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-PQFN(5x6)
8-PowerTDFN
DFN3333-8
PJQ4411P_R2_00001
20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
4,931
现货
1 : ¥5.34000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.91408
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
13A(Ta),60A(Tc)
1.8V,4.5V
8 毫欧 @ 8A,4.5V
1V @ 250µA
46.8 nC @ 4.5 V
±12V
4659 pF @ 15 V
-
2W(Ta),60W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DFN3333-8
8-PowerVDFN
PowerDI3333-8
DMT6008LFG-13
MOSFET N-CH 60V 13A PWRDI3333
Diodes Incorporated
2,185
现货
9,000
工厂
1 : ¥7.47000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.79632
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
13A(Ta),60A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
50.4 nC @ 10 V
±12V
2713 pF @ 30 V
-
2.2W(Ta),41W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
显示
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13A(Ta),60A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。