12A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 456
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Cambridge GaN DevicesComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorGoford SemiconductorGood-Ark SemiconductorInfineon TechnologiesIXYSLittelfuse Inc.Micro Commercial CoMicrochip Technology
系列
-aMOS5™CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ CPCoolMOS™ P6CoolMOS™ P7CoolMOS™ PFD7DeepGATE™, STripFET™ VIEEF
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
Digi-Key 停止提供不适用于新设计停产最后售卖在售
FET 类型
-N 通道P 通道
技术
-GaNFET(氮化镓)MOSFET(金属氧化物)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
8 V12 V20 V30 V40 V55 V60 V80 V100 V150 V200 V250 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.2V,4.5V1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,10V2.5V,4.5V4V,10V4.5V,10V5V5V,10V6V,10V9V,20V10V10V,12V12V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 6A,10V9 毫欧 @ 11A,10V9 毫欧 @ 6A,10V9.4 毫欧 @ 15.7A,4.5V10 毫欧 @ 12A,10V10 毫欧 @ 9.3A,10V10.5 毫欧 @ 6A,10V11 毫欧 @ 9.7A,4.5V11.3 毫欧 @ 1A,4.5V11.5 毫欧 @ 10A,10V11.9 毫欧 @ 12A,10V12 毫欧 @ 5A, 4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
800mV @ 250µA850mV @ 250µA900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 1mA2V @ 250µA2.1V @ 1mA2.1V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
2.3 nC @ 12 V2.8 nC @ 4.5 V3.4 nC @ 10 V7.8 nC @ 4.5 V8 nC @ 4.5 V8.4 nC @ 5 V9.6 nC @ 10 V9.7 nC @ 10 V10 nC @ 5 V10.4 nC @ 10 V10.5 nC @ 10 V10.8 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±5V±8V±10V±12V±15V±16V±18V+20V,-1V±20V+22V,-20V±22V+25V,-10V±25V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
256 pF @ 25 V290 pF @ 400 V300 pF @ 1000 V300 pF @ 25 V300 pF @ 30 V315 pF @ 25 V350 pF @ 25 V398 pF @ 15 V405 pF @ 15 V435 pF @ 15 V490 pF @ 15 V500 pF @ 25 V
FET 功能
-电流检测
功率耗散(最大值)
1W(Ta),23W(Tc)1.5W(Tc)1.56W(Ta),107W(Tc)1.56W(Ta),40W(Tc)1.7W(Tc)2W(Ta),20W(Tc)2W(Ta),50W(Tc)2W(Tc)2.23W(Ta),40W(Tc)2.4W(Ta),5W(Tc)2.5W(Ta)2.5W(Ta),37W(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)-65°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)-55°C ~ 200°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)150°C150°C(TJ)175°C(TJ)-
等级
-军用汽车级
资质
-AEC-Q101MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/592
安装类型
-表面贴装型通孔
供应商器件封装
6-DFN(2x2)8-DFN(3.15x3.05)8-DFN(5x6)8-HSMT(3.2x3)8-SO8-SOIC8-SOP8-VSONP(3x3.3)16-DFN(8x8)-D2PAKD3PAK
封装/外壳
4-PowerTSFN6-WDFN 裸露焊盘8-PowerTDFN8-PowerVDFN8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)16-PowerVDFN-ISOPLUS220™PLUS-220SMDPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8WPowerPAK® CHIPFET™ 单
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
456结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 456
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
339,105
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.60082
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Tc)
4.5V,10V
44 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1125 pF @ 20 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252-2
DMN10H170SK3-13
MOSFET N-CH 100V 12A TO252-3
Diodes Incorporated
149,059
现货
40,000
工厂
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.61622
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Tc)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 5A,10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
1167 pF @ 25 V
-
42W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPak SC-70-6 Single
SIA440DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
22,484
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.27190
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Tc)
2.5V,10V
26 毫欧 @ 9A,10V
1.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
±12V
700 pF @ 20 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA483DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
82,515
现货
1 : ¥4.02000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.34529
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Tc)
4.5V,10V
21 毫欧 @ 5A,10V
2.2V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
1550 pF @ 15 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK 1212-8
SIS412DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
68,259
现货
1 : ¥4.68000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.77229
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Tc)
4.5V,10V
24 毫欧 @ 7.8A,10V
2.5V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
435 pF @ 15 V
-
3.2W(Ta),15.6W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPak SC-70-6 Single
SIA400EDJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
151,151
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Tc)
2.5V,4.5V
19 毫欧 @ 11A,4.5V
1.5V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±12V
1265 pF @ 15 V
-
19.2W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA429DJT-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
26,750
现货
1 : ¥4.93000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.65104
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
12A(Tc)
1.5V,4.5V
20.5 毫欧 @ 6A,4.5V
1V @ 250µA
62 nC @ 8 V
±8V
1750 pF @ 10 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA436DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 8V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
8,962
现货
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.89045
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
8 V
12A(Tc)
1.2V,4.5V
9.4 毫欧 @ 15.7A,4.5V
800mV @ 250µA
25.2 nC @ 5 V
±5V
1508 pF @ 4 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
161,884
现货
1 : ¥5.17000
剪切带(CT)
2,500 : ¥1.73664
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Tc)
4.5V,10V
115 毫欧 @ 12A,10V
3V @ 250µA
20 nC @ 10 V
±20V
1185 pF @ 30 V
-
2.5W(Ta),50W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252(DPAK)
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
PowerPak SC-70-6 Single
SIA441DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 40V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
52,315
现货
1 : ¥5.42000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.82226
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Tc)
4.5V,10V
47 毫欧 @ 4.4A,10V
2.2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
890 pF @ 20 V
-
19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
SOT223
BUK9832-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 12A SOT223
Nexperia USA Inc.
66,125
现货
1 : ¥7.14000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.04977
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
55 V
12A(Tc)
4.5V,10V
29 毫欧 @ 8A,10V
2V @ 1mA
-
±10V
1594 pF @ 25 V
-
8W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TO-252AA
FQD17P06TM
MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
onsemi
19,145
现货
1 : ¥8.29000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.44402
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Tc)
10V
135 毫欧 @ 6A,10V
4V @ 250µA
27 nC @ 10 V
±25V
900 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta),44W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
3,464
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.22381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SI5476DU-T1-GE3
SI5476DU-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 12A CHIPFET
Vishay Siliconix
5,984
现货
1 : ¥10.43000
剪切带(CT)
3,000 : ¥4.30077
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Tc)
4.5V,10V
34 毫欧 @ 4.6A,10V
3V @ 250µA
32 nC @ 10 V
±20V
1100 pF @ 30 V
-
3.1W(Ta),31W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® CHIPFET™ 单
PowerPAK® CHIPFET™ 单
8-SOIC
FDS5672
MOSFET N-CH 60V 12A 8SOIC
onsemi
14,652
现货
1 : ¥13.46000
剪切带(CT)
2,500 : ¥6.06520
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
12A(Tc)
6V,10V
10 毫欧 @ 12A,10V
4V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±20V
2200 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220AB
IRF9530PBF
MOSFET P-CH 100V 12A TO220AB
Vishay Siliconix
13,101
现货
1 : ¥14.28000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
12A(Tc)
10V
300 毫欧 @ 7.2A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
860 pF @ 25 V
-
88W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
PowerPak SO-8L
SQJ431EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 200V 12A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
13,575
现货
1 : ¥15.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥7.03563
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
12A(Tc)
6V,10V
213 毫欧 @ 1A,4V
3.5V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4355 pF @ 25 V
-
83W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
IPB60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
Infineon Technologies
3,862
现货
1 : ¥17.49000
剪切带(CT)
1,000 : ¥8.28003
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
MFG_DPAK(TO252-3)
STD16N65M5
MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
STMicroelectronics
7,991
现货
1 : ¥23.89000
剪切带(CT)
2,500 : ¥11.64792
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
12A(Tc)
10V
299 毫欧 @ 6A,10V
5V @ 250µA
45 nC @ 10 V
±25V
1250 pF @ 100 V
-
90W(Tc)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-220-F
STF13N80K5
MOSFET N-CH 800V 12A TO220FP
STMicroelectronics
1,237
现货
1 : ¥29.88000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
12A(Tc)
10V
450 毫欧 @ 6A,10V
5V @ 100µA
29 nC @ 10 V
±30V
870 pF @ 100 V
-
35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
TO-247-3 HiP
STW12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
STMicroelectronics
601
现货
1 : ¥84.15000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
12A(Tc)
10V
690 毫欧 @ 6A,10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
H2PAK
STH13N120K5-2AG
MOSFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2
STMicroelectronics
1,968
现货
1 : ¥84.64000
剪切带(CT)
1,000 : ¥48.01992
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
12A(Tc)
10V
690 毫欧 @ 6A,10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
H2PAK-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220-3
STP12N120K5
MOSFET N-CH 1200V 12A TO220
STMicroelectronics
950
现货
1 : ¥88.33000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
1200 V
12A(Tc)
10V
690 毫欧 @ 6A,10V
5V @ 100µA
44.2 nC @ 10 V
±30V
1370 pF @ 100 V
-
250W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
PowerPak SC-70-6 Single
SIA447DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 12V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
85,525
现货
1 : ¥2.71000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.08057
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
12 V
12A(Tc)
1.5V,4.5V
13.5 毫欧 @ 7A,4.5V
850mV @ 250µA
80 nC @ 8 V
±8V
2880 pF @ 6 V
-
19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
PowerPak SC-70-6 Single
SIA461DJ-T1-GE3
MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6
Vishay Siliconix
43,365
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10068
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
12A(Tc)
1.8V,4.5V
33 毫欧 @ 5.2A,4.5V
1V @ 250µA
45 nC @ 8 V
±8V
1300 pF @ 10 V
-
3.4W(Ta),17.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
显示
/ 456

12A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。