12A(Ta),40A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
系列
OptiMOS™OptiMOS™ 5
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
产品状态
最后售卖在售
漏源电压(Vdss)
25 V30 V40 V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 毫欧 @ 20A,10V6.5 毫欧 @ 20A,10V7 毫欧 @ 20A,10V8.8 毫欧 @ 20A,10V9.7 毫欧 @ 20A,10V10 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 14µA2V @ 250µA2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
9.1 nC @ 10 V10 nC @ 10 V17 nC @ 10 V21 nC @ 10 V24 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
670 pF @ 15 V670 pF @ 12 V1500 pF @ 15 V1700 pF @ 15 V1900 pF @ 20 V
功率耗散(最大值)
2.1W(Ta),26W(Tc)2.1W(Ta),30W(Tc)2.1W(Ta),35W(Tc)-
供应商器件封装
PG-TDSON-8 FLPG-TSDSON-8PG-TSDSON-8-FL
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TSDSON-8
BSZ065N03LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
20,786
现货
1 : ¥7.55000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.71889
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ097N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 12A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
6,314
现货
1 : ¥7.72000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.78269
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
12A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
9.7 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 14µA
24 nC @ 10 V
±20V
1900 pF @ 20 V
-
2.1W(Ta),35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
TSDSON-8
BSZ060NE2LSATMA1
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
54,032
现货
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.17342
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
25 V
12A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
6 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
9.1 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 12 V
-
2.1W(Ta),26W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
TSDSON-8
ISZ065N03L5SATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
36,476
现货
1 : ¥3.94000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.84198
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
6.5 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 15 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
PG-TDSON-8 FL
BSZ0911LSATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Infineon Technologies
29,585
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
5,000 : ¥1.43869
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
7 毫欧 @ 20A,10V
2V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
670 pF @ 15 V
-
-
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8 FL
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ100N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
4,186
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.29354
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
10 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
1500 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),30W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ088N03LSGATMA1
MOSFET N-CH 30V 12A/40A 8TSDSON
Infineon Technologies
3,676
现货
1 : ¥7.06000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.54874
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Ta),40A(Tc)
4.5V,10V
8.8 毫欧 @ 20A,10V
2.2V @ 250µA
21 nC @ 10 V
±20V
1700 pF @ 15 V
-
2.1W(Ta),35W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
显示
/ 7

12A(Ta),40A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。