112A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 7
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Infineon TechnologiesLittelfuse Inc.Microsemi Corporation
系列
-CoolMOS™HiPerFET™, Polar3™OptiMOS™OptiMOS™ 5POWER MOS V®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
40 V150 V200 V500 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V8V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.9 毫欧 @ 20A,10V7.6 毫欧 @ 56A,107.6 毫欧 @ 56A,10V19 毫欧 @ 500mA,10V20 毫欧 @ 42.4A,10V39 毫欧 @ 66A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 250µA4V @ 1mA4.5V @ 2.12mA4.6V @ 160µA5V @ 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
21 nC @ 10 V61 nC @ 10 V100 nC @ 10 V186 nC @ 10 V250 nC @ 10 V495 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4700 pF @ 75 V7395 pF @ 400 V8320 pF @ 20 V11640 pF @ 25 V18600 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
41W(Tc)214W(Tc)500W(Tc)543W(Tc)1500W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装表面贴装型通孔
供应商器件封装
ISOTOP®PG-HDSOP-22-1PG-TO220-3PG-TO220-3-1PG-TO262-3SOT-227BTO-220F
封装/外壳
22-PowerBSOP 模块SOT-227-4,miniBLOCTO-220-3TO-220-3 整包TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
7结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 7
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-220-3
IPP076N15N5AKSA1
MOSFET N-CH 150V 112A TO220-3
Infineon Technologies
644
现货
1 : ¥44.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
112A(Tc)
8V,10V
7.6 毫欧 @ 56A,10
4.6V @ 160µA
21 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 75 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
IXYK1x0xNxxxx
IXFN132N50P3
MOSFET N-CH 500V 112A SOT227B
Littelfuse Inc.
158
现货
1 : ¥343.64000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
112A(Tc)
10V
39 毫欧 @ 66A,10V
5V @ 8mA
250 nC @ 10 V
±30V
18600 pF @ 25 V
-
1500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
SOT-227B
SOT-227-4,miniBLOC
454
现货
1 : ¥44.58000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
112A(Tc)
8V,10V
7.6 毫欧 @ 56A,10V
4.6V @ 160µA
61 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 75 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO262-3
TO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AA
0
现货
查看交期
1 : ¥139.97000
剪切带(CT)
750 : ¥96.61953
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
112A(Tc)
10V
20 毫欧 @ 42.4A,10V
4.5V @ 2.12mA
186 nC @ 10 V
±20V
7395 pF @ 400 V
-
543W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-HDSOP-22-1
22-PowerBSOP 模块
0
现货
查看交期
1,000 : ¥9.90162
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
112A(Tc)
4.5V,10V
1.9 毫欧 @ 20A,10V
2.3V @ 250µA
100 nC @ 10 V
±20V
8320 pF @ 20 V
-
41W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-220F
TO-220-3 整包
0
现货
查看交期
500 : ¥28.90468
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
112A(Tc)
8V,10V
7.6 毫欧 @ 56A,10V
4.6V @ 160µA
61 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 75 V
-
214W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
SOT-227-4, miniBLOC
APT20M19JVR
MOSFET N-CH 200V 112A ISOTOP
Microsemi Corporation
0
现货
10 : ¥225.52700
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
112A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 1mA
495 nC @ 10 V
±30V
11640 pF @ 25 V
-
500W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
底座安装
ISOTOP®
SOT-227-4,miniBLOC
显示
/ 7

112A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。