11.3A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
Fairchild SemiconductorInfineon TechnologiesonsemiVishay Siliconix
系列
CoolMOS™ P6OptiMOS™QFET®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)散装管件
产品状态
停产在售
漏源电压(Vdss)
30 V100 V200 V500 V600 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
7.5 毫欧 @ 17.8A,10V83 毫欧 @ 3.2A,10V125 毫欧 @ 5.7A,10V320 毫欧 @ 5.65A,10V360 毫欧 @ 4.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.5V @ 250µA3V @ 250µA4V @ 25µA4.5V @ 370µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.7 nC @ 10 V10 nC @ 10 V22 nC @ 10 V27 nC @ 4.5 V75 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
295 pF @ 50 V680 pF @ 100 V1010 pF @ 100 V2610 pF @ 15 V3000 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)1.5W(Tc)3.5W(Ta),19W(Tc)50W(Tc)89.3W(Tc)110W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-50°C ~ 150°C(TJ)-40°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-ThinPak(5x6)PG-TDSON-8-5PG-TSDSON-8PowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SHPowerPAK® SC-70-6TO-3PF
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8PowerPAK® 1212-8SHPowerPAK® SC-70-6TO-3P-3 整包
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPak SC-70-6 Single
SIA416DJ-T1-GE3
MOSFET N-CH 100V 11.3A PPAK
Vishay Siliconix
1,559
现货
1 : $0.68000
剪切带(CT)
3,000 : $0.25907
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
11.3A(Tc)
4.5V,10V
83 毫欧 @ 3.2A,10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
295 pF @ 50 V
-
3.5W(Ta),19W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® SC-70-6
PowerPAK® SC-70-6
8-Power TDFN
BSC12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON
Infineon Technologies
11,585
现货
1 : $1.50000
剪切带(CT)
5,000 : $0.59138
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
11.3A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 5.7A,10V
4V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 100 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TDSON-8-5
8-PowerTDFN
8-Power TDFN
BSZ12DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TSDSON
Infineon Technologies
3,822
现货
1 : $1.51000
剪切带(CT)
5,000 : $0.59308
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
11.3A(Tc)
10V
125 毫欧 @ 5.7A,10V
4V @ 25µA
8.7 nC @ 10 V
±20V
680 pF @ 100 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TSDSON-8
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SI7112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
13,268
现货
1 : $1.68000
剪切带(CT)
3,000 : $0.75856
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.3A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 17.8A,10V
1.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±12V
2610 pF @ 15 V
-
1.5W(Ta)
-50°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK 1212-8SH
SISH112DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
Vishay Siliconix
5,705
现货
1 : $1.43000
剪切带(CT)
3,000 : $0.59282
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.3A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 17.8A,10V
1.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±12V
2610 pF @ 15 V
-
1.5W(Tc)
-50°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8SH
PowerPAK® 1212-8SH
2SK4221
FQAF16N50
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Fairchild Semiconductor
8,060
市场
108 : $2.79000
散装
散装
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
11.3A(Tc)
10V
320 毫欧 @ 5.65A,10V
5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±30V
3000 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
8-Power TDFN
IPL60R360P6SATMA1
MOSFET N-CH 600V 11.3A 8THINPAK
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : $1.87000
剪切带(CT)
5,000 : $0.81084
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
11.3A(Tc)
10V
360 毫欧 @ 4.5A,10V
4.5V @ 370µA
22 nC @ 10 V
±20V
1010 pF @ 100 V
-
89.3W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-ThinPak(5x6)
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SI7112DN-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : $1.68000
剪切带(CT)
3,000 : $0.75856
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
11.3A(Tc)
4.5V,10V
7.5 毫欧 @ 17.8A,10V
1.5V @ 250µA
27 nC @ 4.5 V
±12V
2610 pF @ 15 V
-
1.5W(Ta)
-50°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
TO-220F
FQAF16N50
MOSFET N-CH 500V 11.3A TO3PF
onsemi
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
11.3A(Tc)
10V
320 毫欧 @ 5.65A,10V
5V @ 250µA
75 nC @ 10 V
±30V
3000 pF @ 25 V
-
110W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
显示
/ 9

11.3A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。