107A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 9
制造商
Infineon TechnologiesonsemiQorvoSTMicroelectronics
系列
-CoolSiC™ Gen 2DeepGATE™, STripFET™ VIISTripFET™ F7StrongIRFET™ 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
技术
MOSFET(金属氧化物)SiCFET(共源共栅 SiCJFET)SiCFET(碳化硅)
漏源电压(Vdss)
40 V50 V80 V100 V1200 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V6V,10V10V12V15V,18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
2.4 毫欧 @ 100A,10V3.1 毫欧 @ 40A,10V4 毫欧 @ 80A,10V6 毫欧 @ 10A,10V6 毫欧 @ 53A,10V17.1 毫欧 @ 40.4A,18V21毫欧 @ 50A,12V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA3.8V @ 85µA4.5V @ 250µA5.1V @ 12.7mA6V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
35 nC @ 10 V72 nC @ 10 V72.5 nC @ 10 V81 nC @ 10 V89 nC @ 18 V133 nC @ 10 V218 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
±20V+23V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
2100 pF @ 25 V2910 pF @ 800 V3800 pF @ 40 V5117 pF @ 50 V5600 pF @ 50 V6200 pF @ 40 V7824 pF @ 800 V
功率耗散(最大值)
68W(Tc)136W(Tc)150W(Tc)470W(Tc)517W(Tc)
等级
-汽车级
资质
-AEC-Q101
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)PG-TO263-3PG-TO263-7-12PowerFlat™(5x6)TO-247-3TO-247-4
封装/外壳
8-PowerVDFN8-PowerWDFNTO-247-3TO-247-4TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263ABTO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerFlat WF
STL115N10F7AG
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
STMicroelectronics
12,954
现货
1 : ¥22.08000
剪切带(CT)
3,000 : ¥10.76013
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
107A(Tc)
10V
6 毫欧 @ 53A,10V
4.5V @ 250µA
72.5 nC @ 10 V
±20V
5600 pF @ 50 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
TO-247-4L
UF3SC120016K4S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-4
Qorvo
1,209
现货
1 : ¥318.03000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
107A(Tc)
12V
21毫欧 @ 50A,12V
6V @ 10mA
218 nC @ 15 V
±20V
7824 pF @ 800 V
-
517W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
TO-247-3L
UF3SC120016K3S
SICFET N-CH 1200V 107A TO247-3
Qorvo
1,593
现货
1 : ¥399.55000
管件
-
管件
在售
N 通道
SiCFET(共源共栅 SiCJFET)
1200 V
107A(Tc)
12V
21毫欧 @ 50A,12V
6V @ 10mA
218 nC @ 15 V
±20V
7824 pF @ 800 V
-
517W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
926
现货
1 : ¥218.20000
剪切带(CT)
1,000 : ¥142.47183
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
SiCFET(碳化硅)
1200 V
107A(Tc)
15V,18V
17.1 毫欧 @ 40.4A,18V
5.1V @ 12.7mA
89 nC @ 18 V
+23V,-10V
2910 pF @ 800 V
-
470W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-7-12
TO-263-8,D2PAK(7 引线 + 凸片),TO-263CA
8-WDFN
NVTFS5C453NLWFTAG
MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
onsemi
161
现货
1 : ¥13.71000
剪切带(CT)
1,500 : ¥6.49354
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
107A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 40A,10V
2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
IPB019N08NF2SATMA1
IPB040N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
790
现货
1 : ¥23.56000
剪切带(CT)
800 : ¥14.21356
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
107A(Tc)
6V,10V
4 毫欧 @ 80A,10V
3.8V @ 85µA
81 nC @ 10 V
±20V
3800 pF @ 40 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
IPB019N08NF2SATMA1
IPB024N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
Infineon Technologies
725
现货
1 : ¥24.55000
剪切带(CT)
800 : ¥14.81449
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
80 V
107A(Tc)
6V,10V
2.4 毫欧 @ 100A,10V
3.8V @ 85µA
133 nC @ 10 V
±20V
6200 pF @ 40 V
-
150W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PG-TO263-3
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PowerFlat™
STL110N10F7
MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
STMicroelectronics
0
现货
查看交期
1 : ¥20.36000
剪切带(CT)
3,000 : ¥9.17386
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
100 V
107A(Tc)
10V
6 毫欧 @ 10A,10V
4.5V @ 250µA
72 nC @ 10 V
±20V
5117 pF @ 50 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
-
-
表面贴装型
PowerFlat™(5x6)
8-PowerVDFN
8-WDFN
NVTFS5C453NLTAG
MOSFET N-CH 40V 107A 8WDFN
onsemi
0
现货
查看交期
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
1,500 : ¥5.90849
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
107A(Tc)
4.5V,10V
3.1 毫欧 @ 40A,10V
2V @ 250µA
35 nC @ 10 V
±20V
2100 pF @ 25 V
-
68W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
显示
/ 9

107A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。