1.8A(Tc) 单 FET,MOSFET

结果 : 60
制造商
Infineon TechnologiesonsemiSTMicroelectronicsVishay Siliconix
系列
-CoolMOS™QFET®STripFET™SuperMESH3™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
产品状态
停产在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
60 V100 V200 V400 V450 V500 V560 V600 V650 V800 V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
400 毫欧 @ 1A,10V500 毫欧 @ 1.1A,10V2.5 欧姆 @ 1.5A,10V3 欧姆 @ 1.1A,10V3 欧姆 @ 900mA,10V3.4 欧姆 @ 600mA,10V3.8 欧姆 @ 500mA,10V5 欧姆 @ 900mA,10V5.8 欧姆 @ 900mA,10V6.3 欧姆 @ 900mA,10V6.5 欧姆 @ 1.1A,10V7 欧姆 @ 1.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA3.9V @ 80µA4V @ 250µA4.5V @ 50µA5V @ 250µA5.5V @ 80µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
5.5 nC @ 10 V6 nC @ 10 V9 nC @ 10 V9.5 nC @ 10 V11 nC @ 10 V12 nC @ 10 V12.5 nC @ 10 V13 nC @ 10 V14 nC @ 5 V15 nC @ 10 V19 nC @ 10 V38 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
150 pF @ 25 V165 pF @ 50 V170 pF @ 25 V190 pF @ 25 V200 pF @ 25 V240 pF @ 25 V270 pF @ 25 V345 pF @ 25 V365 pF @ 25 V530 pF @ 25 V550 pF @ 25 V690 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
2W(Ta),3.1W(Tc)2.5W(Ta),50W(Tc)2.5W(Tc)3W(Ta),20W(Tc)3.3W(Ta)20W(Tc)25W(Tc)27W(Tc)39W(Tc)40W(Ta)40W(Tc)50W(Tc)54W(Tc)62W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)-
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
DPAKI2PAKPG-TO220-3-1PG-TO251-3-11PG-TO251-3-21PG-TO252-3-11PG-TO252-3-311PG-TO263-3-2SOT-223TO-220-3TO-220ABTO-220F-3TO-251(IPAK)TO-251AA
封装/外壳
TO-220-3TO-220-3 整包TO-251-3 短引线,IPAKTO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AATO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63TO-261-4,TO-261AATO-262-3 长引线,I2PAK,TO-262AATO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
60结果
应用的筛选条件 删除全部

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/ 60
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223-3L
STN3N40K3
MOSFET N-CH 400V 1.8A SOT223
STMicroelectronics
44,039
现货
1 : ¥6.32000
剪切带(CT)
4,000 : ¥2.41709
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
3.4 欧姆 @ 600mA,10V
4.5V @ 50µA
11 nC @ 10 V
±30V
165 pF @ 50 V
-
3.3W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
IRFL9014TRPBF
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Vishay Siliconix
68,747
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.05148
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.8A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
SOT223-3L
SIHFL9014TR-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Vishay Siliconix
4,747
现货
1 : ¥6.24000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.36320
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.8A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
6,747
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.43412
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
SOT223-3L
IRFL9014TRPBF-BE3
MOSFET P-CH 60V 1.8A SOT223
Vishay Siliconix
3,405
现货
1 : ¥7.39000
剪切带(CT)
2,500 : ¥3.05148
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.8A(Tc)
10V
500 毫欧 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
2W(Ta),3.1W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
TO-251AA
IRFU9310PBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A TO251AA
Vishay Siliconix
4,175
现货
1 : ¥8.78000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-251AA
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220AB
IRF9610PBF
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Vishay Siliconix
8,624
现货
1 : ¥9.28000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
1.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 900mA,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9310TRPBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Vishay Siliconix
10,724
现货
1 : ¥13.22000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.47591
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9310PBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Vishay Siliconix
2,466
现货
1 : ¥13.22000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
2,072
现货
1 : ¥6.40000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.43412
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
D-PAK (TO-252AA)
IRFR9310TRLPBF
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Vishay Siliconix
938
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.62445
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-263AB
IRF9610SPBF
MOSFET P-CH 200V 1.8A D2PAK
Vishay Siliconix
1,100
现货
1 : ¥15.43000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
1.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 900mA,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
3W(Ta),20W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-263(D2PAK)
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
TO-220AB
IRFBE20PBF
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO220AB
Vishay Siliconix
1,756
现货
1 : ¥8.70000
管件
-
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
800 V
1.8A(Tc)
10V
6.5 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
38 nC @ 10 V
±20V
530 pF @ 25 V
-
54W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-220AB
IRF9610PBF-BE3
MOSFET P-CH 200V 1.8A TO220AB
Vishay Siliconix
842
现货
1 : ¥13.22000
管件
-
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
1.8A(Tc)
-
3 欧姆 @ 900mA,10V
4V @ 250µA
11 nC @ 10 V
±20V
170 pF @ 25 V
-
20W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220AB
TO-220-3
TO-252
IRFR9310TRLPBF-BE3
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Vishay Siliconix
2,914
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
3,000 : ¥5.62445
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-252
SIHFR9310TR-GE3
MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
Vishay Siliconix
1,784
现货
1 : ¥12.48000
剪切带(CT)
2,000 : ¥5.62446
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
400 V
1.8A(Tc)
10V
7 欧姆 @ 1.1A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±20V
270 pF @ 25 V
-
50W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.1A,10V
3.9V @ 80µA
9 nC @ 10 V
±20V
190 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3-311
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.1A,10V
3.9V @ 80µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3-11
TO-251-3 短引线,IPAK
0
现货
停产
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.1A,10V
3.9V @ 80µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3-1
TO-220-3
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB02N60C3ATMA1
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO263-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
1.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.1A,10V
3.9V @ 80µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
PG-TO251-3
SPU02N60S5BKMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
1,500 : ¥3.83664
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.1A,10V
5.5V @ 80µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3-21
TO-251-3 短引线,IPAK,TO-251AA
TO-220-3
FQP3N50C-F080
MOSFET N-CH 500V 1.8A TO220-3
onsemi
0
现货
停产
-
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
500 V
1.8A(Tc)
10V
2.5 欧姆 @ 1.5A,10V
4V @ 250µA
13 nC @ 10 V
±30V
365 pF @ 25 V
-
62W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
TO-220-3
TO-220-3
TO252-3
SPD02N60S5BTMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO252-3
Infineon Technologies
0
现货
停产
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.1A,10V
5.5V @ 80µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3-11
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
TO-251-3 Stub
SPS02N60C3
MOSFET N-CH 650V 1.8A TO251-3
Infineon Technologies
0
现货
1,500 : ¥3.49757
管件
管件
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
1.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.1A,10V
3.9V @ 80µA
12.5 nC @ 10 V
±20V
200 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
通孔
PG-TO251-3-11
TO-251-3 短引线,IPAK
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
SPB02N60S5ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.8A TO263-3
Infineon Technologies
87
现货
1 : ¥5.50000
剪切带(CT)
1,000 : ¥3.89559
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
停产
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
1.8A(Tc)
10V
3 欧姆 @ 1.1A,10V
5.5V @ 80µA
9.5 nC @ 10 V
±20V
240 pF @ 25 V
-
25W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO263-3-2
TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
显示
/ 60

1.8A(Tc) 单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。