模块单 FET，MOSFET

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	FET 类型	技术	漏源电压（Vdss）	25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）	不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）	不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）	Vgs（最大值）	不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

MSCSM120SKM31CTBL1NG PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1 Microchip Technology	27 现货	1 : ¥976.34000 散装	-	散装	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	79A	20V	31 毫欧 @ 40A，20V	2.8V @ 1mA	232 nC @ 20 V	+25V，-10V	3020 pF @ 1000 V	-	310W	-55°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	-	模块
BSM180C12P3C202 SICFET N-CH 1200V 180A MODULE Rohm Semiconductor	10 现货	1 : ¥4,340.45000 散装	-	散装	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	180A（Tc）	-	-	5.6V @ 50mA	-	+22V，-4V	9000 pF @ 10 V	-	880W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
BSM180C12P2E202 SICFET N-CH 1200V 204A MODULE Rohm Semiconductor	4 现货	1 : ¥4,925.61000 托盘	-	托盘	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	204A（Tc）	-	-	4V @ 35.2mA	-	+22V，-6V	20000 pF @ 10 V	-	1360W（Tc）	175°C（TJ）	底座安装	模块	模块
BSM300C12P3E201 SICFET N-CH 1200V 300A MODULE Rohm Semiconductor	4 现货	1 : ¥5,134.95000 散装	-	散装	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	300A（Tc）	-	-	5.6V @ 80mA	-	+22V，-4V	15000 pF @ 10 V	-	1360W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	模块	模块
BSM400C12P3G202 SICFET N-CH 1200V 400A MODULE Rohm Semiconductor	4 现货	1 : ¥7,829.42000 托盘	-	托盘	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	400A（Tc）	-	-	5.6V @ 106.8mA	-	+22V，-4V	17000 pF @ 10 V	-	1570W（Tc）	175°C（TJ）	底座安装	模块	模块
DF17MR12W1M1HFB68BPSA1 LOW POWER EASY Infineon Technologies	9 现货	1 : ¥682.94000 托盘	EasyPACK™	托盘	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	45A（Tj）	15V，18V	16.2 毫欧 @ 50A，18V	5.15V @ 20mA	149 nC @ 18 V	+20V，-7V	4400 pF @ 800 V	-	-	-40°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	-	模块
BSM300C12P3E301 SICFET N-CH 1200V 300A MODULE Rohm Semiconductor	0 现货查看交期	1 : ¥7,334.40000 散装	-	散装	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	300A（Tc）	-	-	5.6V @ 80mA	-	+22V，-4V	1500 pF @ 10 V	-	1360W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	-	模块	模块
MSCSM120DAM31CTBL1NG PM-MOSFET-SIC-SBD-BL1 Microchip Technology	0 现货查看交期	1 : ¥976.34000 散装	-	散装	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	79A	20V	31 毫欧 @ 40A，20V	2.8V @ 1mA	232 nC @ 20 V	+25V，-10V	3020 pF @ 1000 V	-	310W	-55°C ~ 175°C（TJ）	底座安装	-	模块
APTM100UM65SCAVG MOSFET N-CH 1000V 145A SP6 Microchip Technology	0 现货查看交期	3 : ¥3,859.54333 散装	POWER MOS 7®	散装	在售	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	1000 V	145A（Tc）	10V	78 毫欧 @ 72.5A，10V	5V @ 20mA	1068 nC @ 10 V	±30V	28500 pF @ 25 V	-	3250W（Tc）	-40°C ~ 150°C（TJ）	底座安装	SP6	模块
BSM600C12P3G201 SICFET N-CH 1200V 600A MODULE Rohm Semiconductor	0 现货查看交期	4 : ¥10,268.12750 托盘	-	托盘	在售	N 通道	SiCFET（碳化硅）	1200 V	600A（Tc）	-	-	5.6V @ 182mA	-	+22V，-4V	28000 pF @ 10 V	-	2460W（Tc）	175°C（TJ）	底座安装	模块	模块
VM0550-2F MOSFET N-CH 100V 590A MODULE IXYS	0 现货	停产	HiPerFET™	散装	停产	N 通道	MOSFET（金属氧化物）	100 V	590A（Tc）	-	2.1 毫欧 @ 500mA，10V	-	2000 nC @ 10 V	-	50000 pF @ 25 V	-	2200W	-	底座安装	模块	模块