存储器

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesISSI, Integrated Silicon Solution Inc
系列
-MoBL®
存储器格式
DRAMSRAM
技术
SDRAM - DDRSRAM - 异步
存储容量
4Mb512Mb
存储器组织
256K x 1632M x 16
写周期时间 - 字,页
15ns45ns
访问时间
700 ps45 ns
电压 - 供电
2.3V ~ 2.7V4.5V ~ 5.5V
工作温度
-40°C ~ 85°C(TA)0°C ~ 70°C(TA)
封装/外壳
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm)
供应商器件封装
44-TSOP II66-TSOP II
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
44-TSOP II
CY62146ELL-45ZSXI
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
Infineon Technologies
734
现货
1 : ¥87.18000
托盘
托盘
在售
未验证
易失
SRAM
SRAM - 异步
4Mb
256K x 16
并联
-
45ns
45 ns
4.5V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C(TA)
表面贴装型
44-TSOP(0.400",10.16mm 宽)
44-TSOP II
327
现货
1 : ¥32.34000
托盘
-
托盘
在售
未验证
易失
DRAM
SDRAM - DDR
512Mb
32M x 16
并联
167 MHz
15ns
700 ps
2.3V ~ 2.7V
0°C ~ 70°C(TA)
表面贴装型
66-TSSOP(szerokość 0,400",10,16mm)
66-TSOP II
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。