存储器

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesMacronixonsemiSTMicroelectronics
系列
-F-RAM™MX25xxx35/36 - MXSMIO™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)托盘管件
产品状态
不适用于新设计在售
存储器格式
EEPROMFRAM闪存
技术
EEPROMFLASH - NORFRAM(铁电体 RAM)
存储容量
64Kb256Kb256Mb
存储器组织
8K x 832K x 832M x 8
存储器接口
I2CSPI
时钟频率
1 MHz40 MHz104 MHz
写周期时间 - 字,页
30µs,3ms4ms5ms-
访问时间
400 ns450 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 5.5V1.8V ~ 5.5V2V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 125°C(TA)-40°C ~ 85°C(TA)
封装/外壳
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)8-UFDFN 裸露焊盘8-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
8-DFN(4x4.5)8-TSSOP8-UFDFPN(2x3)8-WSON(8x6)
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果

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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字,页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-TSSOP
M24256-DRDW3TP/K
IC EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
STMicroelectronics
49,754
现货
1 : ¥13.79000
剪切带(CT)
4,000 : ¥9.59451
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
EEPROM
EEPROM
256Kb
32K x 8
I2C
1 MHz
5ms
450 ns
1.8V ~ 5.5V
-40°C ~ 125°C(TA)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
8-TSSOP
8-WSON
MX25L25635FZ2I-10G
IC FLASH 256MBIT SPI 8WSON
Macronix
4,660
现货
1 : ¥51.39000
托盘
托盘
不适用于新设计
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
256Mb
32M x 8
SPI
104 MHz
30µs,3ms
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
-
-
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WSON(8x6)
8-VDFN
FM25V02A-DGQ
IC FRAM 256KBIT SPI 40MHZ 8DFN
Infineon Technologies
632
现货
1 : ¥58.54000
管件
管件
在售
未验证
非易失
FRAM
FRAM(铁电体 RAM)
256Kb
32K x 8
SPI
40 MHz
-
-
2V ~ 3.6V
-40°C ~ 85°C(TA)
-
-
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-DFN(4x4.5)
8-UFDFpN 2x3
M24C64-FMC6TG
IC EEPROM 64KBIT I2C 8UFDFPN
STMicroelectronics
18,407
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
5,000 : ¥2.02943
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
EEPROM
EEPROM
64Kb
8K x 8
I2C
1 MHz
5ms
450 ns
1.7V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C(TA)
-
-
表面贴装型
8-UFDFN 裸露焊盘
8-UFDFPN(2x3)
8 TSSOP
NV24C64DTVLT3G
IC EEPROM 64KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
onsemi
1,654
现货
75,000
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带(CT)
3,000 : ¥3.54672
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
EEPROM
EEPROM
64Kb
8K x 8
I2C
1 MHz
4ms
400 ns
1.7V ~ 5.5V
-40°C ~ 125°C(TA)
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)
8-TSSOP
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存储器


存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。