存储器

结果 : 3
制造商
ISSI, Integrated Silicon Solution IncMicrochip TechnologyMicron Technology Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）托盘
存储器格式
EEPROM闪存
技术
EEPROMFLASH - NOR闪存 - NAND
存储容量
1Kb8Mb256Gb
存储器组织
128 x 81M x 832G x 8
存储器接口
I2CMMCSPI - 四 I/O，QPI，DTR
时钟频率
1 MHz133 MHz200 MHz
写周期时间 - 字，页
800µs5ms-
电压 - 供电
1.7V ~ 5.5V2.3V ~ 3.6V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 105°C（TA）-40°C ~ 85°C（TA）
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）153-VFBGA
供应商器件封装
8-SOIC8-TSSOP153-VFBGA（11.5x13）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
访问时间
电压 - 供电
工作温度
等级
资质
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
153-VFBGA
MTFC32GAZAQHD-AAT
IC FLASH 256GBIT MMC 153VFBGA
Micron Technology Inc.
331
现货
1 : ¥197.86000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
闪存 - NAND
256Gb
32G x 8
MMC
200 MHz
-
-
2.7V ~ 3.6V
-40°C ~ 105°C（TA）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
153-VFBGA
153-VFBGA（11.5x13）
1,933
现货
1 : ¥6.81000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
8Mb
1M x 8
SPI - 四 I/O，QPI，DTR
133 MHz
800µs
-
2.3V ~ 3.6V
-40°C ~ 105°C（TA）
汽车级
AEC-Q100
表面贴装型
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOIC
8-TSSOP
AT24C01C-XHM-T
IC EEPROM 1KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
Microchip Technology
3,505
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.77580
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
未验证
非易失
EEPROM
EEPROM
1Kb
128 x 8
I2C
1 MHz
5ms
550 ns
1.7V ~ 5.5V
-40°C ~ 85°C（TA）
-
-
表面贴装型
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
8-TSSOP
显示
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。