存储器

结果 : 3
技术
FLASH - NOR闪存 - NAND
存储容量
128Mb1Gb
存储器组织
16M x 8128M x 8
存储器接口
SPI - 四 I/O并联
写周期时间 - 字，页
8ms，2.8ms-
电压 - 供电
1.7V ~ 2V2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）0°C ~ 70°C（TA）
封装/外壳
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）8-WDFN 裸露焊盘48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装
8-SO8-WPDFN（8x6）（MLP8）48-TSOP I
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
DigiKey 可编程
存储器类型
存储器格式
技术
存储容量
存储器组织
存储器接口
时钟频率
写周期时间 - 字，页
电压 - 供电
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
8-SOIC
MT25QU128ABA1ESE-0SIT
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
Micron Technology Inc.
606
现货
1 : ¥33.08000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms，2.8ms
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-SOIC（0.209"，5.30mm 宽）
8-SO
984
现货
1 : ¥33.08000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
FLASH - NOR
128Mb
16M x 8
SPI - 四 I/O
133 MHz
8ms，2.8ms
1.7V ~ 2V
-40°C ~ 85°C（TA）
表面贴装型
8-WDFN 裸露焊盘
8-WPDFN（8x6）（MLP8）
48-TSOP
MT29F1G08ABAEAWP:E
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
Micron Technology Inc.
1,848
现货
1 : ¥22.17000
托盘
-
托盘
在售
未验证
非易失
闪存
闪存 - NAND
1Gb
128M x 8
并联
-
-
2.7V ~ 3.6V
0°C ~ 70°C（TA）
表面贴装型
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
48-TSOP I
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存储器

存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。