576Mb 存储器

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制造商零件编号	现有数量	价格	系列	包装	产品状态	DigiKey 可编程	存储器类型	存储器格式	技术	存储容量	存储器组织	存储器接口	时钟频率	写周期时间 - 字，页	访问时间	电压 - 供电	工作温度	安装类型	封装/外壳	供应商器件封装

IS49RL36160A-107EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	119 现货	1 : ¥441.25000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	RLDRAM 3	576Mb	16M x 36	并联	933 MHz	-	7.5 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-LBGA	168-FBGA（13.5x13.5）
IS49RL36160A-093EBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	119 现货	1 : ¥476.55000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	RLDRAM 3	576Mb	16M x 36	并联	1.066 GHz	-	7.5 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-LBGA	168-FBGA（13.5x13.5）
IS49RL36160A-093FBL IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	119 现货	1 : ¥509.88000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	RLDRAM 3	576Mb	16M x 36	并联	1.066 GHz	-	7.5 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-LBGA	168-FBGA（13.5x13.5）
IS49RL36160A-093EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	115 现货	1 : ¥524.17000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	RLDRAM 3	576Mb	16M x 36	并联	1.066 GHz	-	7.5 ns	1.28V ~ 1.42V	-40°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-LBGA	168-FBGA（13.5x13.5）
IS49RL36160A-093FBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	119 现货	1 : ¥560.86000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	RLDRAM 3	576Mb	16M x 36	并联	1.066 GHz	-	7.5 ns	1.28V ~ 1.42V	-40°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-LBGA	168-FBGA（13.5x13.5）
IS49RL36160A-107EBLI IC DRAM 576MBIT PAR 168FBGA ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	149 现货	1 : ¥696.40000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	RLDRAM 3	576Mb	16M x 36	并联	933 MHz	-	7.5 ns	1.28V ~ 1.42V	-40°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-LBGA	168-FBGA（13.5x13.5）
MT49H16M36SJ-18:B IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1 : ¥522.36000 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	16M x 36	并联	533 MHz	-	15 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
MSR622AJC288-12 IC SRAM 576MBIT PAR 324PBGA MoSys, Inc.	24 现货	1 : ¥3,107.81000 托盘	-	托盘	停产	未验证	易失	SRAM	1T-SRAM	576Mb	8M x 72	并联	1.25 GHz	-	2.6 ns	0.95V	0°C ~ 85°C（TC）	表面贴装型	324-BGA	324-PBGA（19x19）
MT49H16M36BM-33:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥256.54211 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	16M x 36	并联	300 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT44K16M36RB-125:A TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥296.04959 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	16M x 36	并联	800 MHz	-	12 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-TBGA	168-BGA（13.5x13.5）
MT44K32M18RB-125:A TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥296.04959 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	32M x 18	并联	800 MHz	-	12 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-TBGA	168-BGA（13.5x13.5）
MT49H16M36BM-25:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥307.85053 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	16M x 36	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H32M18BM-33:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥307.85053 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	32M x 18	并联	300 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H64M9BM-25:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥307.85053 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	64M x 9	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）
MT49H16M36SJ-25:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥307.85053 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	16M x 36	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
MT49H32M18SJ-25:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144FBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥307.85053 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	32M x 18	并联	400 MHz	-	20 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-FBGA（18.5x11）
MT44K16M36RB-125E:A TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥314.00754 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	16M x 36	并联	800 MHz	-	10 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-TBGA	168-BGA（13.5x13.5）
MT44K32M18RB-125E:A TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 168BGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥314.00754 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	32M x 18	并联	800 MHz	-	10 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-TBGA	168-BGA（13.5x13.5）
MT44K16M36RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.	0 现货查看交期	1,000 : ¥324.37906 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	16M x 36	并联	933 MHz	-	8 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-TBGA	168-BGA（13.5x13.5）
MT44K32M18RB-107E:B TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.	0 现货查看交期	1,000 : ¥324.37906 卷带（TR）	-	卷带（TR）	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	32M x 18	并联	933 MHz	-	8 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-TBGA	168-BGA（13.5x13.5）
MT44K16M36RB-107E:B IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.	0 现货查看交期	1,190 : ¥324.37905 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	16M x 36	并联	933 MHz	-	8 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-TBGA	168-BGA（13.5x13.5）
MT44K32M18RB-107E:B IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.	0 现货查看交期	1,190 : ¥324.37905 托盘	-	托盘	在售	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	32M x 18	并联	933 MHz	-	8 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-TBGA	168-BGA（13.5x13.5）
MT44K16M36RB-107:A TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥325.80847 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	16M x 36	并联	933 MHz	-	10 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-TBGA	168-BGA（13.5x13.5）
MT44K32M18RB-107:A TR IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥325.80847 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	32M x 18	并联	933 MHz	-	10 ns	1.28V ~ 1.42V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	168-TBGA	168-BGA（13.5x13.5）
MT49H16M36BM-25E:B TR IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA Micron Technology Inc.	0 现货	1,000 : ¥327.34773 卷带（TR）	-	卷带（TR）	停产	未验证	易失	DRAM	DRAM	576Mb	16M x 36	并联	400 MHz	-	15 ns	1.7V ~ 1.9V	0°C ~ 95°C（TC）	表面贴装型	144-TFBGA	144-µBGA（18.5x11）

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存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

576Mb 存储器

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