单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesRohm SemiconductorTexas InstrumentsVishay Siliconix
系列
-HEXFET®NexFET™OptiMOS™OptiMOS™-5TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V80 V100 V150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）3.5A（Ta）14A（Ta），44A（Tc）15A（Ta）100A（Ta）100A（Tc）200A（Tc）701A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，10V2.5V，10V2.5V，4.5V3V，8V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.53 毫欧 @ 20A，10V2.3 毫欧 @ 100A，10V4 毫欧 @ 21A，4.5V4.1 毫欧 @ 19A，10V7.5 毫欧 @ 100A，10V10.3 毫欧 @ 10A，8V42 毫欧 @ 3A，10V59 毫欧 @ 5A，10V2.4 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.1V @ 50µA1.2V @ 250µA1.8V @ 250µA2.3V @ 1mA3.3V @ 250µA3.8V @ 130µA3.8V @ 250µA4V @ 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.3 nC @ 10 V5.1 nC @ 4.5 V7.7 nC @ 10 V62 nC @ 10 V72 nC @ 4.5 V93 nC @ 10 V110 nC @ 10 V288 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+10V，-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 25 V281 pF @ 10 V454 pF @ 50 V700 pF @ 15 V3770 pF @ 10 V4870 pF @ 40 V5470 pF @ 75 V7670 pF @ 40 V17000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
200mW（Ta）500mW（Ta）2.7W（Ta）2.8W（Ta），23W（Tc）3.1W（Ta），195W（Tc）63W（Tc）200W（Tc）300W（Tc）600W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）-50°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）8-VSON-CLIP（5x6）8-VSONP（3x3.3）PG-HSOF-8-1PG-TO220-3PowerPAK® 8 x 8SOT-323SST3TO-252AA (DPAK)
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-PowerVDFNPowerPAK® 8 x 8SC-70，SOT-323TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
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/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
DMN2058UW-7
MOSFET N-CH 20V 3.5A SOT323
Diodes Incorporated
69,378
现货
555,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.56317
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.5A（Ta）
1.8V，10V
42 毫欧 @ 3A，10V
1.2V @ 250µA
7.7 nC @ 10 V
±12V
281 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
8-VSONP
CSD19538Q3A
MOSFET N-CH 100V 15A 8VSON
Texas Instruments
7,592
现货
1 : ¥4.68000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.78434
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
15A（Ta）
6V，10V
59 毫欧 @ 5A，10V
3.8V @ 250µA
4.3 nC @ 10 V
±20V
454 pF @ 50 V
-
2.8W（Ta），23W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（3x3.3）
8-PowerVDFN
CSD1632x Series 8-SON
CSD17308Q3
MOSFET N-CH 30V 14A/44A 8VSON
Texas Instruments
30,606
现货
1 : ¥7.55000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.85950
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
14A（Ta），44A（Tc）
3V，8V
10.3 毫欧 @ 10A，8V
1.8V @ 250µA
5.1 nC @ 4.5 V
+10V，-8V
700 pF @ 15 V
-
2.7W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（3.3x3.3）
8-PowerTDFN
TO252-3
IRLR6225TRPBF
MOSFET N-CH 20V 100A DPAK
Infineon Technologies
5,260
现货
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.65931
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
100A（Tc）
2.5V，4.5V
4 毫欧 @ 21A，4.5V
1.1V @ 50µA
72 nC @ 4.5 V
±12V
3770 pF @ 10 V
-
63W（Tc）
-50°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA (DPAK)
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
8-Power TDFN
CSD19502Q5B
MOSFET N-CH 80V 100A 8VSON
Texas Instruments
6,192
现货
1 : ¥20.94000
剪切带（CT）
2,500 : ¥9.45128
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
100A（Ta）
6V，10V
4.1 毫欧 @ 19A，10V
3.3V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
4870 pF @ 40 V
-
3.1W（Ta），195W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSON-CLIP（5x6）
8-PowerTDFN
6,435
现货
1 : ¥27.34000
剪切带（CT）
2,000 : ¥13.29060
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
200A（Tc）
6V，10V
2.3 毫欧 @ 100A，10V
3.8V @ 130µA
110 nC @ 10 V
±20V
7670 pF @ 40 V
-
200W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
SST3
RK7002BMT116
MOSFET N-CH 60V 250MA SST3
Rohm Semiconductor
276,486
现货
1 : ¥1.64000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.27487
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
250mA（Ta）
2.5V，10V
2.4 欧姆 @ 250mA，10V
2.3V @ 1mA
-
±20V
15 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK-8x8L
SQJQ140E-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
9,676
现货
1 : ¥27.01000
剪切带（CT）
2,000 : ¥13.13761
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
701A（Tc）
10V
0.53 毫欧 @ 20A，10V
3.3V @ 250µA
288 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 25 V
-
600W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 8 x 8
PowerPAK® 8 x 8
TO-220-3
IPP075N15N3GXKSA1
MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3
Infineon Technologies
901
现货
1 : ¥46.71000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
100A（Tc）
8V，10V
7.5 毫欧 @ 100A，10V
4V @ 270µA
93 nC @ 10 V
±20V
5470 pF @ 75 V
-
300W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。