单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedGood-Ark SemiconductorNexperia USA Inc.Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-TrenchMOS™U-MOSIII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
250mA（Ta）300mA（Ta）350mA（Ta）900mA（Ta）7.7A（Ta）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.2V，4.5V1.5V，4.5V1.8V，2.7V1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.3 毫欧 @ 30A，10V25 毫欧 @ 5A，10V470 毫欧 @ 900mA，4.5V1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 100µA950mV @ 250µA1V @ 100µA1.1V @ 250µA2.2V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.34 nC @ 4.5 V0.68 nC @ 4.5 V1.3 nC @ 4.5 V53.1 nC @ 10 V210 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
36 pF @ 10 V41 pF @ 15 V50 pF @ 15 V2569 pF @ 30 V12000 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）350mW（Ta）350mW（Ta），5.43W（Tc）500mW（Ta）1W（Ta）138W（Tc）
工作温度
-65°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-PPAK（5.1x5.71）DFN1006B-3POWERDI3333-8SOT-23-3SOT-323SSM
封装/外壳
3-XFDFN8-PowerTDFN8-PowerVDFNSC-70，SOT-323SC-75，SOT-416TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN2005K-7
MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Diodes Incorporated
711,913
现货
342,000
工厂
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57387
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
300mA（Ta）
1.8V，2.7V
1.7 欧姆 @ 200mA，2.7V
900mV @ 100µA
-
±10V
-
-
350mW（Ta）
-65°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
14,211
现货
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.32005
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
250mA（Ta）
1.2V，4.5V
1.1 欧姆 @ 150mA，4.5V
1V @ 100µA
0.34 nC @ 4.5 V
±10V
36 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75，SOT-416
SOT-323
NX3008NBKW,115
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT323
Nexperia USA Inc.
636,553
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33879
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
350mA（Ta）
1.8V，4.5V
1.4 欧姆 @ 350mA，4.5V
1.1V @ 250µA
0.68 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 15 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
PowerDI3333-8
DMP6023LFGQ-13
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
4,034
现货
1,791,000
工厂
1 : ¥6.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.47191
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
3-XQFN
PMZB390UNEYL
MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
Nexperia USA Inc.
28,006
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.48028
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
900mA（Ta）
1.5V，4.5V
470 毫欧 @ 900mA，4.5V
950mV @ 250µA
1.3 nC @ 4.5 V
±8V
41 pF @ 15 V
-
350mW（Ta），5.43W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
DFN1006B-3
3-XFDFN
GSGP03150
GSFP03101
MOSFET, P-CH, SINGLE, -100A, -30
Good-Ark Semiconductor
2,870
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.75959
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
3.3 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
210 nC @ 10 V
±20V
12000 pF @ 25 V
-
138W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-PPAK（5.1x5.71）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。