单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.onsemi
系列
-TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
380mA（Ta）750mA（Ta）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
90 毫欧 @ 1.2A，10V2.3 欧姆 @ 380mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.4V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20 pF @ 30 V125 pF @ 5 V
功率耗散（最大值）
380mW（Ta），2.8W（Tc）400mW（Ta）
供应商器件封装
SOT-23-3（TO-236）SOT-883
封装/外壳
SC-101，SOT-883TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
MGSF1N02LT1G
MOSFET N-CH 20V 750MA SOT23-3
onsemi
29,992
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.15618
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
750mA（Ta）
4.5V，10V
90 毫欧 @ 1.2A，10V
2.4V @ 250µA
-
±20V
125 pF @ 5 V
-
400mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SC-101 SOT-883
NX138BKMYL
MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
26,830
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.29600
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
-
2.3 欧姆 @ 380mA，10V
1.5V @ 250µA
0.7 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 30 V
-
380mW（Ta），2.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。