单 FET，MOSFET

结果 : 3
系列
-PowerTrench®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V25 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
680mA（Ta）2.5A（Ta）2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.7V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 2.6A，4.5V95 毫欧 @ 5A，10V450 毫欧 @ 500mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.8 nC @ 5 V2.3 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V115 pF @ 20 V1138 pF @ 6 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）500mW（Ta）1.04W（Ta），20.8W（Tc）
供应商器件封装
DPAKSOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
FDV303N
MOSFET N-CH 25V 680MA SOT23
onsemi
245,221
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59362
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
680mA（Ta）
2.7V，4.5V
450 毫欧 @ 500mA，4.5V
1.5V @ 250µA
2.3 nC @ 4.5 V
±8V
50 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN306P
MOSFET P-CH 12V 2.6A SUPERSOT3
onsemi
56,087
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.20097
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
2.6A（Ta）
1.8V，4.5V
40 毫欧 @ 2.6A，4.5V
1.5V @ 250µA
17 nC @ 4.5 V
±8V
1138 pF @ 6 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
DPAK_369C
NTD14N03RT4G
MOSFET N-CH 25V 2.5A DPAK
onsemi
2,854
现货
1 : ¥11.74000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.86666
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 250µA
1.8 nC @ 5 V
±20V
115 pF @ 20 V
-
1.04W（Ta），20.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
DPAK
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。