单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Nexperia USA Inc.STMicroelectronics
系列
MDmesh™ M5TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
25A（Tc）53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 26.5A，10V61毫欧 @ 4，7A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
30 nC @ 10 V95 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1060 pF @ 30 V4240 pF @ 100 V
功率耗散（最大值）
66W（Tc）250W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8TO-263（D2PAK）
封装/外壳
SC-100，SOT-669TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
D2Pak
STB45N30M5
NCHANNEL 300 V 0.037 OHM TYP. 53
STMicroelectronics
975
现货
1 : ¥55.09000
剪切带（CT）
1,000 : ¥31.26197
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
300 V
53A（Tc）
10V
40 毫欧 @ 26.5A，10V
5V @ 250µA
95 nC @ 10 V
±25V
4240 pF @ 100 V
-
250W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK6Y61-60PX
MOSFET P-CH 60V 25A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
2,846
现货
1 : ¥7.39000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.25713
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
25A（Tc）
4.5V，10V
61毫欧 @ 4，7A，10V
3V @ 250µA
30 nC @ 10 V
±20V
1060 pF @ 30 V
-
66W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。