单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedNexperia USA Inc.
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.5A（Ta），13A（Tc）100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.6 毫欧 @ 25A，10VNHD-1.5-128128G，SSD1357
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
8.6 nC @ 4.5 V66.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
834 pF @ 10 V5026 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
1.2W（Ta）167W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8TSOT-26
封装/外壳
SC-100，SOT-669SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
PSMN5R6-60YLX
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
10,834
现货
1 : ¥8.78000
剪切带（CT）
1,500 : ¥3.87487
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
100A（Tc）
5V，10V
5.6 毫欧 @ 25A，10V
2.1V @ 1mA
66.8 nC @ 10 V
±20V
5026 pF @ 25 V
-
167W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
DMP2040UVT-7
DMP2040UVT-7
MOSFET P-CH 20V TSOT26
Diodes Incorporated
1,061
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.91871
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
5.5A（Ta），13A（Tc）
2.5V，4.5V
NHD-1.5-128128G，SSD1357
1.5V @ 250µA
8.6 nC @ 4.5 V
±12V
834 pF @ 10 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。