单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedMicro Commercial CoSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VIITrenchFET®U-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V40 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A（Ta）4A（Ta）4A（Tc）6A（Ta）10.6A（Ta），87A（Tc）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，8V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.6 毫欧 @ 16.2A，10V10 毫欧 @ 20A，10V22.1 毫欧 @ 6A，8V56 毫欧 @ 2A，10V70 毫欧 @ 2A，10V125 毫欧 @ 3A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA2V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 250µA4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6 nC @ 4.5 V7.8 nC @ 10 V33.5 nC @ 10 V38.5 nC @ 8 V40 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V±16V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
247 pF @ 30 V408 pF @ 25 V639 pF @ 25 V1331 pF @ 10 V1530 pF @ 20 V1925 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1W（Ta）2.3W（Ta）2.4W（Ta）2.4W（Tc）3.8W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PowerDI5060-8PowerFlat™（2x2）PowerPAK® 1212-8SOT-23SOT-23F
封装/外壳
6-PowerWDFN8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
38,986
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79204
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.8V，8V
22.1 毫欧 @ 6A，8V
1V @ 1mA
38.5 nC @ 8 V
±10V
1331 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
PowerPAK 1212-8
SIS434DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 35A PPAK 1212-8
Vishay Siliconix
23,467
现货
1 : ¥7.63000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.16900
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
35A（Tc）
4.5V，10V
7.6 毫欧 @ 16.2A，10V
2.2V @ 250µA
40 nC @ 10 V
±20V
1530 pF @ 20 V
-
3.8W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SOT 23
SI2310-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Micro Commercial Co
75,229
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83982
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
10V
125 毫欧 @ 3A，4.5V
2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
247 pF @ 30 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
6-WDFN Exposed Pad
STL4P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 4A POWERFLAT
STMicroelectronics
11,634
现货
1 : ¥4.76000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.80184
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
4.5V，10V
56 毫欧 @ 2A，10V
2.5V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
639 pF @ 25 V
-
2.4W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（2x2）
6-PowerWDFN
6-WDFN Exposed Pad
STL3N10F7
MOSFET N-CH 100V 4A POWERFLAT
STMicroelectronics
1,934
现货
1 : ¥5.91000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.25672
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
4A（Tc）
10V
70 毫欧 @ 2A，10V
4.5V @ 250µA
7.8 nC @ 10 V
±20V
408 pF @ 25 V
-
2.4W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PowerFlat™（2x2）
6-PowerWDFN
DMPH4015SPSQ-13
DMT6009LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 10.6A POWERDI
Diodes Incorporated
3,236
现货
1 : ¥8.62000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.56512
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
10.6A（Ta），87A（Tc）
4.5V，10V
10 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
33.5 nC @ 10 V
±16V
1925 pF @ 30 V
-
2.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
显示
/ 6

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。