单 FET，MOSFET

结果 : 13
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesMicro Commercial CoNexperia USA Inc.onsemiSTMicroelectronicsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-HEXFET®OptiMOS™PowerTrench®STripFET™TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVIU-MOSVII
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
12 V20 V25 V55 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）630mA（Ta）1.6A（Ta）2.6A（Ta）3A（Ta）4A（Ta）4.3A（Ta）6A（Ta）6A（Tc）18A（Tc）61.8A（Tc）87A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4.5V1.8V，4.5V1.8V，8V2.5V，4.5V2.7V，4.5V4.5V6V，10V8V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.3 毫欧 @ 44A，10V12 毫欧 @ 20A，10V17.6 毫欧 @ 6A，8V29.8 毫欧 @ 3A，4.5V31 毫欧 @ 4A，4.5V50 毫欧 @ 4.3A，4.5V57 毫欧 @ 3.6A，4.5V120 毫欧 @ 2.8A，4.5V125 毫欧 @ 10A，10V150 毫欧 @ 500mA，1.5V261 毫欧 @ 1.6A，10V400 毫欧 @ 600mA，4.5V4 欧姆 @ 400mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
850mV @ 250µA950mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.06V @ 250µA1.2V @ 250µA4V @ 1mA4V @ 250µA4.6V @ 107µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.7 nC @ 4.5 V0.74 nC @ 4.5 V2 nC @ 4.5 V5 nC @ 10 V5.5 nC @ 4.5 V12.8 nC @ 4.5 V15 nC @ 5 V15.8 nC @ 4.5 V19.5 nC @ 4.5 V35.2 nC @ 10 V39 nC @ 10 V40.7 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
9.5 pF @ 10 V60.67 pF @ 16 V225 pF @ 75 V476 pF @ 10 V830 pF @ 10 V840 pF @ 10 V940 pF @ 25 V1275 pF @ 6 V1357 pF @ 10 V1400 pF @ 6 V2067 pF @ 25 V3230 pF @ 75 V
功率耗散（最大值）
280mW（Ta）350mW（Ta）350mW（Tc）710mW（Ta）800mW（Ta）1W（Ta）1.3W（Ta）1.5W（Ta）105W（Tc）110W（Tc）139W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
LFPAK56，Power-SO8Micro3™/SOT-23PG-TDSON-8-7SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-23FSOT-523TO-220
封装/外壳
8-PowerTDFNSC-100，SOT-669SOT-23-3 扁平引线SOT-523TO-220-3TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
13结果
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/ 13
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1012T-7
MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523
Diodes Incorporated
368,017
现货
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.43427
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
630mA（Ta）
1.8V，4.5V
400 毫欧 @ 600mA，4.5V
1V @ 250µA
0.74 nC @ 4.5 V
±6V
60.67 pF @ 16 V
-
280mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
FDV301N
MOSFET N-CH 25V 220MA SOT23
onsemi
420,696
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
25 V
220mA（Ta）
2.7V，4.5V
4 欧姆 @ 400mA，4.5V
1.06V @ 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±8V
9.5 pF @ 10 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMG2301L-7
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Diodes Incorporated
180,457
现货
807,000
工厂
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.45078
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3A（Ta）
2.5V，4.5V
120 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
476 pF @ 10 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
365,986
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.75545
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Ta）
1.8V，8V
17.6 毫欧 @ 6A，8V
1V @ 1mA
19.5 nC @ 4.5 V
±10V
1400 pF @ 6 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
759,381
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.69123
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
6A（Ta）
1.5V，4.5V
29.8 毫欧 @ 3A，4.5V
1V @ 1mA
12.8 nC @ 4.5 V
±8V
840 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT 23
SI2333-TP
MOSFET P-CH 12V 6A SOT23
Micro Commercial Co
44,142
现货
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71241
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
6A（Tc）
4.5V
150 毫欧 @ 500mA，1.5V
1V @ 250µA
2 nC @ 4.5 V
±8V
1275 pF @ 6 V
-
350mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2302CDS-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 2.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
98,893
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.87977
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.6A（Ta）
2.5V，4.5V
57 毫欧 @ 3.6A，4.5V
850mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
-
-
710mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML6401TRPBF
MOSFET P-CH 12V 4.3A SOT23
Infineon Technologies
50,193
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.88628
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4.3A（Ta）
1.8V，4.5V
50 毫欧 @ 4.3A，4.5V
950mV @ 250µA
15 nC @ 5 V
±8V
830 pF @ 10 V
-
1.3W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN86246
MOSFET N-CH 150V 1.6A SUPERSOT3
onsemi
9,635
现货
1 : ¥10.59000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.38677
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
1.6A（Ta）
6V，10V
261 毫欧 @ 1.6A，10V
4V @ 250µA
5 nC @ 10 V
±20V
225 pF @ 75 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
BSC093N15NS5ATMA1
MOSFET N-CH 150V 87A TDSON
Infineon Technologies
5,383
现货
1 : ¥30.87000
剪切带（CT）
5,000 : ¥14.40842
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
150 V
87A（Tc）
8V，10V
9.3 毫欧 @ 44A，10V
4.6V @ 107µA
40.7 nC @ 10 V
±20V
3230 pF @ 75 V
-
139W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TDSON-8-7
8-PowerTDFN
SOT-23-3
DMP1045U-7
MOSFET P-CH 12V 4A SOT23
Diodes Incorporated
8,950
现货
783,000
工厂
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77918
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
12 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
31 毫欧 @ 4A，4.5V
1V @ 250µA
15.8 nC @ 4.5 V
±8V
1357 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-220-3
STP20NF20
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
STMicroelectronics
610
现货
1 : ¥17.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
18A（Tc）
10V
125 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 250µA
39 nC @ 10 V
±20V
940 pF @ 25 V
-
110W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
通孔
TO-220
TO-220-3
LFPAK56/POWER-SO8/SOT669
BUK7Y12-55B,115
MOSFET N-CH 55V 61.8A LFPAK56
Nexperia USA Inc.
8,862
现货
1 : ¥11.41000
剪切带（CT）
1,500 : ¥4.99779
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
61.8A（Tc）
10V
12 毫欧 @ 20A，10V
4V @ 1mA
35.2 nC @ 10 V
±20V
2067 pF @ 25 V
-
105W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
LFPAK56，Power-SO8
SC-100，SOT-669
显示
/ 13

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。