单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.onsemi
系列
-HEXFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
760mA（Ta）2.2A（Ta）3.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V117 毫欧 @ 2.2A，10V600 毫欧 @ 600mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.1 nC @ 10 V6 nC @ 10 V6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
75 pF @ 25 V196 pF @ 30 V200 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
540mW（Ta）615mW（Ta），7.5W（Tc）1.25W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23SOT-23-3（TO-236）TO-236AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
IRLML5103TRPBF
MOSFET P-CH 30V 760MA SOT23
Infineon Technologies
71,066
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77857
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
760mA（Ta）
4.5V，10V
600 毫欧 @ 600mA，10V
1V @ 250µA
5.1 nC @ 10 V
±20V
75 pF @ 25 V
-
540mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4501NT1G
MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT23-3
onsemi
42,277
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73764
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
3.2A（Ta）
1.8V，4.5V
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±12V
200 pF @ 10 V
-
1.25W（Tj）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV88ENER
PMV88ENE/SOT23/TO-236AB
Nexperia USA Inc.
6,700
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78506
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
2.2A（Ta）
4.5V，10V
117 毫欧 @ 2.2A，10V
2.7V @ 250µA
6 nC @ 10 V
±20V
196 pF @ 30 V
-
615mW（Ta），7.5W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。