单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon Technologies
系列
-HEXFET®OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
20 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.2A(Ta)1.5A(Ta)4.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
2.5V,4.5V4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
45 毫欧 @ 4.2A,4.5V140 毫欧 @ 1.5A,4.5V250 毫欧 @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1.2V @ 250µA1.2V @ 3.7µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.8 nC @ 5 V3.2 nC @ 10 V12 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
143 pF @ 10 V166 pF @ 40 V740 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)625mW(Ta)1.25W(Ta)
供应商器件封装
Micro3™/SOT-23PG-SOT323SOT-23-3
封装/外壳
SC-70,SOT-323TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-323
BSS214NWH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Infineon Technologies
208,472
现货
1 : ¥3.61000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.64337
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
1.5A(Ta)
2.5V,4.5V
140 毫欧 @ 1.5A,4.5V
1.2V @ 3.7µA
0.8 nC @ 5 V
±12V
143 pF @ 10 V
-
500mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-SOT323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
ZXMN6A07FTA
MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
12,734
现货
1 : ¥3.78000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.28413
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.2A(Ta)
4.5V,10V
250 毫欧 @ 1.8A,10V
3V @ 250µA
3.2 nC @ 10 V
±20V
166 pF @ 40 V
-
625mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
SOT-23-3
IRLML2502TRPBF
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23
Infineon Technologies
100,923
现货
1 : ¥4.10000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.10815
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
4.2A(Ta)
2.5V,4.5V
45 毫欧 @ 4.2A,4.5V
1.2V @ 250µA
12 nC @ 5 V
±12V
740 pF @ 15 V
-
1.25W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
Micro3™/SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。