单 FET,MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesToshiba Semiconductor and Storage
系列
CoolMOS™ P7DTMOSV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
漏源电压(Vdss)
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
11.5A(Tc)12A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
280 毫欧 @ 3.8A,10V290 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 190µA4V @ 450µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
18 nC @ 10 V25 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
730 pF @ 300 V761 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
53W(Tc)100W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
DPAKPG-TO252-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果

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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO252-3
IPD60R280P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
Infineon Technologies
3,461
现货
1 : ¥10.18000
剪切带(CT)
2,500 : ¥4.22381
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
12A(Tc)
10V
280 毫欧 @ 3.8A,10V
4V @ 190µA
18 nC @ 10 V
±20V
761 pF @ 400 V
-
53W(Tc)
-40°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
1,998
现货
1 : ¥14.94000
剪切带(CT)
2,000 : ¥6.75174
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
11.5A(Tc)
10V
290 毫欧 @ 5.8A,10V
4V @ 450µA
25 nC @ 10 V
±30V
730 pF @ 300 V
-
100W(Tc)
150°C(TJ)
表面贴装型
DPAK
TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。