单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Diodes IncorporatedEPC
系列
-eGaN®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Ta）101A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.5V @ 14mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 10 V23 nC @ 5 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 10 V3200 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
660mW（Ta）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）
供应商器件封装
7-QFN（3x5）SOT-23-3
封装/外壳
7-PowerWQFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2302UKQ-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3
Diodes Incorporated
626,838
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.79551
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
34,247
现货
1 : ¥54.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥36.28548
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。