单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Infineon TechnologiesonsemiToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-OptiMOS™TrenchFET® Gen IVU-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V50 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）2.5A（Ta）4A（Ta）43.7A（Ta），162A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.1 毫欧 @ 10A，10V50 毫欧 @ 2.5A，4.5V55 毫欧 @ 4A，4.5V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 11µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.2 nC @ 4.5 V53 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+12V，-8V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
30 pF @ 5 V190 pF @ 30 V419 pF @ 10 V3415 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
225mW（Ta）500mW（Ta）1W（Ta）3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23PowerPAK® 1212-8SOT-23-3（TO-236）SOT-23F
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SOT-23-3 扁平引线TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
显示
/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT 23-3
BSS84LT1G
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
onsemi
79,797
现货
1 : ¥3.04000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50762
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 250µA
-
±20V
30 pF @ 5 V
-
225mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
19,034
现货
1 : ¥3.45000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.62275
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4A（Ta）
1.8V，4.5V
55 毫欧 @ 4A，4.5V
-
-
±12V
190 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23F
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23-3
BSS205NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Infineon Technologies
32,809
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.78963
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.5A（Ta）
2.5V，4.5V
50 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1.2V @ 11µA
3.2 nC @ 4.5 V
±12V
419 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
PowerPAK 1212-8
SISA40DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 43.7A/162A PPAK
Vishay Siliconix
0
现货
查看交期
1 : ¥6.32000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.39274
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
43.7A（Ta），162A（Tc）
2.5V，10V
1.1 毫欧 @ 10A，10V
1.5V @ 250µA
53 nC @ 10 V
+12V，-8V
3415 pF @ 10 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
/ 4

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。