单 FET，MOSFET

结果 : 6
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesTexas Instruments
系列
-NexFET™OptiMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
900mA（Ta）5.8A（Ta）9.2A（Ta）100A（Tc）300A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V3V，10V4.5V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
0.75 毫欧 @ 150A，10V1.2 毫欧 @ 150A，10V4 毫欧 @ 20A，10V18 毫欧 @ 10A，10V28 毫欧 @ 5.8A，10V460 毫欧 @ 200mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
950mV @ 250µA1.8V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA3.3V @ 280µA3.8V @ 280µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5.5 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 10 V11 nC @ 4.5 V17 nC @ 10 V223 nC @ 10 V287 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±8V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
73 pF @ 25 V386 pF @ 15 V864 pF @ 30 V1650 pF @ 15 V16000 pF @ 30 V17000 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
400mW720mW（Ta）1.5W（Ta）3.2W（Ta）375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
8-SO8-VSONP（5x6）PG-HSOF-8-1SOT-23-3
封装/外壳
8-PowerSFN8-PowerTDFN8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
6结果
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/ 6
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
15,339
现货
1,791,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59843
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8 SO
DMT6016LSS-13
MOSFET N-CH 60V 9.2A 8SO
Diodes Incorporated
45,206
现货
557,500
工厂
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.68771
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
9.2A（Ta）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 10A，10V
2.5V @ 250µA
17 nC @ 10 V
±20V
864 pF @ 30 V
-
1.5W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
IPT059N15N3ATMA1
IPT007N06NATMA1
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
8,867
现货
1 : ¥49.34000
剪切带（CT）
2,000 : ¥26.22168
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
300A（Tc）
6V，10V
0.75 毫欧 @ 150A，10V
3.3V @ 280µA
287 nC @ 10 V
±20V
16000 pF @ 30 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
x-xSOF-8-1
IPT012N08N5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Infineon Technologies
8,937
现货
1 : ¥51.72000
剪切带（CT）
2,000 : ¥27.49290
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
300A（Tc）
6V，10V
1.2 毫欧 @ 150A，10V
3.8V @ 280µA
223 nC @ 10 V
±20V
17000 pF @ 40 V
-
375W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-HSOF-8-1
8-PowerSFN
SOT-23-3
DMN3731U-7
MOSFET N-CH 30V 900MA SOT23
Diodes Incorporated
107,895
现货
1 : ¥2.05000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.34633
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
900mA（Ta）
1.8V，4.5V
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
950mV @ 250µA
5.5 nC @ 4.5 V
±8V
73 pF @ 25 V
-
400mW
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD17506Q5A
MOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
Texas Instruments
7,484
现货
1 : ¥12.97000
剪切带（CT）
2,500 : ¥5.37426
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
100A（Tc）
4.5V，10V
4 毫欧 @ 20A，10V
1.8V @ 250µA
11 nC @ 4.5 V
±20V
1650 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。