单 FET，MOSFET

结果 : 5
制造商
Infineon TechnologiesNexperia USA Inc.Vishay Siliconix
系列
-OptiMOS™OptiMOS™ 6TrenchFET®TrenchFET® Gen IV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
30 V60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
270mA（Ta）13A（Ta）， 75A（Tc）15A（Ta），40A（Tc）15.3A（Ta），38.3A（Tc）35A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.4 毫欧 @ 20A，10V7.5 毫欧 @ 10A，10V8.04 毫欧 @ 20A， 10V12.3 毫欧 @ 13.9A，10V4.2 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.4V @ 250µA2.5V @ 250µA3.3V @ 36µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.6 nC @ 10 V15 nC @ 10 V21.5 nC @ 10 V24 nC @ 10 V59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+20V，-16V±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
15 pF @ 30 V950 pF @ 15 V1000 pF @ 15 V1800 pF @ 15 V1800 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
340mW（Ta），2.3W（Tc）2.1W（Ta），27W（Tc）3W（Ta），100W（Tc）3.2W（Ta），19.8W（Tc）3.7W（Ta），52W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TSDSON-8 FLPG-TSDSON-8-FLPowerPAK® 1212-8SOT-883
封装/外壳
8-PowerTDFNPowerPAK® 1212-8SC-101，SOT-883
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
5结果
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/ 5
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
PowerPAK 1212-8
SI7617DN-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 35A PPAK1212-8
Vishay Siliconix
198,591
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥2.61673
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
35A（Tc）
4.5V，10V
12.3 毫欧 @ 13.9A，10V
2.5V @ 250µA
59 nC @ 10 V
±25V
1800 pF @ 15 V
-
3.7W（Ta），52W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
SC-101 SOT-883
NX138AKMYL
NX138AKM/SOT883/XQFN3
Nexperia USA Inc.
34,714
现货
1 : ¥2.22000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.28191
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
270mA（Ta）
2.5V，10V
4.2 欧姆 @ 190mA，10V
1.5V @ 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
15 pF @ 30 V
-
340mW（Ta），2.3W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-883
SC-101，SOT-883
TSDSON-8
BSZ0506NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 15A/40A TSDSON
Infineon Technologies
71,233
现货
1 : ¥8.46000
剪切带（CT）
5,000 : ¥3.32636
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
4.4 毫欧 @ 20A，10V
2V @ 250µA
15 nC @ 10 V
±20V
950 pF @ 15 V
-
2.1W（Ta），27W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8-FL
8-PowerTDFN
4,505
现货
1 : ¥13.63000
剪切带（CT）
5,000 : ¥5.92951
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
13A（Ta）， 75A（Tc）
8V，10V
8.04 毫欧 @ 20A， 10V
3.3V @ 36µA
24 nC @ 10 V
±20V
1800 pF @ 50 V
-
3W（Ta），100W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
PG-TSDSON-8 FL
8-PowerTDFN
PowerPAK 1212-8
SIS472BDN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 15.3A/38.3A PPAK
Vishay Siliconix
2,236
现货
1 : ¥5.09000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.71220
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
15.3A（Ta），38.3A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 10A，10V
2.4V @ 250µA
21.5 nC @ 10 V
+20V，-16V
1000 pF @ 15 V
-
3.2W（Ta），19.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerPAK® 1212-8
PowerPAK® 1212-8
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。