单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedMicrochip Technology
包装
散装袋
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
60 V100 V250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
215mA（Ta）280mA（Ta）900mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
500 毫欧 @ 3A，10V5 欧姆 @ 500mA，10V7 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA3V @ 1mA3.5V @ 1mA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
100 pF @ 18 V110 pF @ 25 V350 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
700mW（Ta）740mW（Ta）850mW（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-
供应商器件封装
TO-92TO-92-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead
TN5325N3-G
MOSFET N-CH 250V 215MA TO92-3
Microchip Technology
1,260
现货
1 : ¥6.16000
袋
-
袋
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
250 V
215mA（Ta）
4.5V，10V
7 欧姆 @ 1A，10V
2V @ 1mA
±20V
110 pF @ 25 V
-
740mW（Ta）
-
通孔
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVN4310A
MOSFET N-CH 100V 900MA TO92-3
Diodes Incorporated
2,879
现货
24,000
工厂
1 : ¥13.13000
散装
-
散装
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
900mA（Ta）
5V，10V
500 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 1mA
±20V
350 pF @ 25 V
-
850mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92
ZVP2106A
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
Diodes Incorporated
583
现货
1 : ¥7.14000
散装
-
散装
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
280mA（Ta）
10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
3.5V @ 1mA
±20V
100 pF @ 18 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
TO-92
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。