单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedGoford SemiconductorInfineon Technologies
系列
-OptiMOS®-P2SGT
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V40 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1A（Tc）2.8A（Ta）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，4.5V4.5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.6 毫欧 @ 50A，10V90 毫欧 @ 3.6A，4.5V670 毫欧 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.2V @ 85µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 10 V10 nC @ 10 V59 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+5V，-16V±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
130 pF @ 10 V253 pF @ 50 V3900 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
660mW（Ta）1.4W（Tc）58W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3-313SOT-23-3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG2302UK-7
MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23
Diodes Incorporated
109,383
现货
225,000
工厂
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50860
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
2.5V，4.5V
90 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
2.8 nC @ 10 V
±12V
130 pF @ 10 V
-
660mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO252-3
IPD50P04P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
Infineon Technologies
4,440
现货
1 : ¥11.25000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.65841
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
40 V
50A（Tc）
4.5V，10V
10.6 毫欧 @ 50A，10V
2.2V @ 85µA
59 nC @ 10 V
+5V，-16V
3900 pF @ 25 V
-
58W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3-313
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
GT6K2P10IH
GT6K2P10IH
MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Goford Semiconductor
2,352
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59362
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
1A（Tc）
10V
670 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
253 pF @ 50 V
-
1.4W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。