单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesNexperia USA Inc.
系列
-OptiMOS™TrenchMOS™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
320mA（Ta）380mA（Ta）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 毫欧 @ 30A，10V1.6 欧姆 @ 300mA，10V2 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 250µA2.2V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.3 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V23 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 10 V50 pF @ 25 V2400 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
260mW（Ta），830mW（Tc）370mW（Ta）56W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TA）-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-TO252-3SOT-23-3SOT-323
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
297,173
现货
1,410,000
工厂
1 : ¥1.81000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.29868
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
380mA（Ta）
5V，10V
2 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
-
370mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
933,267
现货
1 : ¥2.30000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.39030
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
320mA（Ta）
10V
1.6 欧姆 @ 300mA，10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW（Ta），830mW（Tc）
-55°C ~ 150°C（TA）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
TO252-3
IPD060N03LGATMA1
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
Infineon Technologies
1,287
现货
1 : ¥7.80000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.23914
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
50A（Tc）
4.5V，10V
6 毫欧 @ 30A，10V
2.2V @ 250µA
23 nC @ 10 V
±20V
2400 pF @ 15 V
-
56W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
-
-
表面贴装型
PG-TO252-3
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。