单 FET,MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedonsemiVishay Siliconix
系列
-TrenchFET® GenIV
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
30 V40 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.6A(Ta)40.2A(Ta),263A(Tc)86A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
1.4 毫欧 @ 23A,10V4.5 毫欧 @ 10A,10V140 毫欧 @ 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
8.6 nC @ 10 V48 nC @ 10 V217 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
315 pF @ 40 V2442 pF @ 25 V14950 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
700mW(Ta)3.3W(Ta),138.9W(Tc)70W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装,可润湿侧翼表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)PowerPAK® 1212-8SLWSOT-23-3
封装/外壳
8-PowerTDFN,5 引线PowerPAK® 1212-8SLWTO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果

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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN6140L-7
MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23
Diodes Incorporated
161,125
现货
1 : ¥3.28000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.58560
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
1.6A(Ta)
4.5V,10V
140 毫欧 @ 1.8A,10V
3V @ 250µA
8.6 nC @ 10 V
±20V
315 pF @ 40 V
-
700mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
5-DFN, 8-SO Flat Lead
NTMFS002P03P8ZT1G
MOSFET, POWER -30V P-CHANNEL, SO
onsemi
2,660
现货
28,500
工厂
1 : ¥25.37000
剪切带(CT)
1,500 : ¥13.09385
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
40.2A(Ta),263A(Tc)
4.5V,10V
1.4 毫欧 @ 23A,10V
3V @ 250µA
217 nC @ 4.5 V
±25V
14950 pF @ 15 V
-
3.3W(Ta),138.9W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
PowerPAK_1212-8SLW_Top
SQS142ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
Vishay Siliconix
8,719
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
3,000 : ¥2.89593
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
86A(Tc)
4.5V,10V
4.5 毫欧 @ 10A,10V
2.5V @ 250µA
48 nC @ 10 V
±20V
2442 pF @ 25 V
-
70W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装,可润湿侧翼
PowerPAK® 1212-8SLW
PowerPAK® 1212-8SLW
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。