单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Taiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.1A（Tc）50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25.2 毫欧 @ 12.5A，10V65 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.4 nC @ 4.5 V160 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
810 pF @ 15 V4700 pF @ 40 V
功率耗散（最大值）
1.56W（Tc）8.3W（Ta），136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23TO-252AA
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252
SUD50P08-25L-E3
MOSFET P-CH 80V 50A TO252
Vishay Siliconix
5,894
现货
1 : ¥21.02000
剪切带（CT）
2,000 : ¥9.48377
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
80 V
50A（Tc）
4.5V，10V
25.2 毫欧 @ 12.5A，10V
3V @ 250µA
160 nC @ 10 V
±20V
4700 pF @ 40 V
-
8.3W（Ta），136W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-252AA
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
24,102
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98099
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
4.1A（Tc）
2.5V，10V
65 毫欧 @ 4A，10V
900mV @ 250µA
6.4 nC @ 4.5 V
±12V
810 pF @ 15 V
-
1.56W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。