单 FET，MOSFET

结果 : 9
制造商
Diodes IncorporatedonsemiPanjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V70 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA（Ta）1.6A（Tc）2.6A（Ta）4A（Ta）6.1A（Ta），18A（Tc）6.1A（Tc）7A（Ta），18.2A（Tc）7.7A（Ta）30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，2.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
16 毫欧 @ 14.4A，10V25 毫欧 @ 5A，10V28 毫欧 @ 5A，10V50 毫欧 @ 7A，10V110 毫欧 @ 4A，10V160 毫欧 @ 2.1A，10V250 毫欧 @ 1A，10V345 毫欧 @ 1.25A，10V1.6 欧姆 @ 50mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA1.2V @ 250µA2.5V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.4 nC @ 10 V4.1 nC @ 4.5 V9.7 nC @ 10 V10 nC @ 10 V18 nC @ 10 V24.1 nC @ 10 V53.1 nC @ 10 V140 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
58 pF @ 25 V210 pF @ 30 V551 pF @ 30 V635 pF @ 40 V785 pF @ 30 V1293 pF @ 30 V2569 pF @ 30 V4710 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
350mW（Ta）1W（Ta）1W（Ta），1.7W（Tc）1.2W（Ta）1.8W（Ta），14W（Tc）2W（Ta）3.1W（Ta）83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 155°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
POWERDI3333-8PowerPAK® SO-8SOT-223SOT-223-3SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳
8-PowerVDFNPowerPAK® SO-8TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
9结果
显示
/ 9
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS138K
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
163,377
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.50220
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
220mA（Ta）
1.8V，2.5V
1.6 欧姆 @ 50mA，5V
1.2V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±12V
58 pF @ 25 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2309CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Vishay Siliconix
33,329
现货
1 : ¥4.35000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.46768
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
1.6A（Tc）
4.5V，10V
345 毫欧 @ 1.25A，10V
3V @ 250µA
4.1 nC @ 4.5 V
±20V
210 pF @ 30 V
-
1W（Ta），1.7W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-223-3
DMP6023LE-13
MOSFET P-CH 60V 7A/18.2A SOT223
Diodes Incorporated
47,505
现货
457,500
工厂
1 : ¥6.57000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.48138
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7A（Ta），18.2A（Tc）
4.5V，10V
28 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
PowerDI3333-8
DMPH6050SFGQ-7
MOSFET P-CH 60V PWRDI3333
Diodes Incorporated
13,633
现货
2,624,000
工厂
1 : ¥7.22000
剪切带（CT）
2,000 : ¥3.00170
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.1A（Ta），18A（Tc）
4.5V，10V
50 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
24.1 nC @ 10 V
±20V
1293 pF @ 30 V
-
1.2W（Ta）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
PowerPak SO-8L
SQJ461EP-T1_GE3
MOSFET P-CH 60V 30A PPAK SO-8
Vishay Siliconix
9,098
现货
1 : ¥22.99000
剪切带（CT）
3,000 : ¥11.17799
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
30A（Tc）
4.5V，10V
16 毫欧 @ 14.4A，10V
2.5V @ 250µA
140 nC @ 10 V
±20V
4710 pF @ 30 V
-
83W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerPAK® SO-8
PowerPAK® SO-8
PowerDI3333-8
DMP6023LFGQ-7
MOSFET P-CH 60V 7.7A PWRDI3333-8
Diodes Incorporated
6,123
现货
1 : ¥6.16000
剪切带（CT）
2,000 : ¥2.32660
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
7.7A（Ta）
4.5V，10V
25 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
53.1 nC @ 10 V
±20V
2569 pF @ 30 V
-
1W（Ta）
-55°C ~ 155°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
POWERDI3333-8
8-PowerVDFN
TO-261-4, TO-261AA
PJW4P06A-AU_R2_000A1
60V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Panjit International Inc.
3,376
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
2,500 : ¥1.14196
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
4A（Ta）
4.5V，10V
110 毫欧 @ 4A，10V
2.5V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
785 pF @ 30 V
-
3.1W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
DMP6250SEQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT223 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
查看交期
2,500 : ¥1.14456
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
6.1A（Tc）
4.5V，10V
250 毫欧 @ 1A，10V
3V @ 250µA
9.7 nC @ 10 V
±20V
551 pF @ 30 V
-
1.8W（Ta），14W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223-3
ZXMP7A17GQTC
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223 T&R
Diodes Incorporated
0
现货
52,000
工厂
查看交期
4,000 : ¥2.97111
卷带（TR）
-
卷带（TR）
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
70 V
2.6A（Ta）
4.5V，10V
160 毫欧 @ 2.1A，10V
1V @ 250µA
18 nC @ 10 V
±20V
635 pF @ 40 V
-
2W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223-3
TO-261-4，TO-261AA
显示
/ 9

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。