单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedEPCToshiba Semiconductor and Storage
系列
-eGaN®U-MOSIX-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
技术
GaNFET（氮化镓）MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
17.9A（Ta），100A（Tc）60A（Tc）101A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.8毫欧 @ 50A，5V4.9 毫欧 @ 50A，10V5.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 14mA2.5V @ 500µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
23 nC @ 5 V47.1 nC @ 10 V52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
+6V，-4V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2962 pF @ 30 V3200 pF @ 50 V4300 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
960mW（Ta），132W（Tc）2.6W（Ta），125W（Tc）-
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-40°C ~ 150°C（TJ）175°C
供应商器件封装
7-QFN（3x5）8-SOP Advance（5x5）PowerDI5060-8
封装/外壳
7-PowerWQFN8-PowerTDFN8-PowerVDFN
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
EPC2302
EPC2302
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
EPC
35,706
现货
1 : ¥54.26000
剪切带（CT）
3,000 : ¥36.28548
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
GaNFET（氮化镓）
100 V
101A（Ta）
5V
1.8毫欧 @ 50A，5V
2.5V @ 14mA
23 nC @ 5 V
+6V，-4V
3200 pF @ 50 V
-
-
-40°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
7-QFN（3x5）
7-PowerWQFN
DMPH4015SPSQ-13
DMT6005LPS-13
MOSFET N-CHA 60V 17.9A POWERDI
Diodes Incorporated
3,726
现货
205,000
工厂
1 : ¥8.87000
剪切带（CT）
2,500 : ¥3.68396
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17.9A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
4.9 毫欧 @ 50A，10V
3V @ 250µA
47.1 nC @ 10 V
±20V
2962 pF @ 30 V
-
2.6W（Ta），125W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
TPH5R60APL,L1Q
PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR N-C
Toshiba Semiconductor and Storage
3,194
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
5,000 : ¥4.09981
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
60A（Tc）
4.5V，10V
5.6 毫欧 @ 30A，10V
2.5V @ 500µA
52 nC @ 10 V
±20V
4300 pF @ 50 V
-
960mW（Ta），132W（Tc）
175°C
-
-
表面贴装型
8-SOP Advance（5x5）
8-PowerVDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。