单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes Incorporated
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
820mA（Ta）5A（Ta），12.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
66 毫欧 @ 5A，10V750 毫欧 @ 430mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA2.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.62 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
59.76 pF @ 16 V415 pF @ 50 V
功率耗散（最大值）
310mW（Ta）3.1W（Ta），20.8W（Tc）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）SOT-323
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70，SOT-323
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
显示
/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
8-DFN
AON7296
MOSFET N-CH 100V 5A/12.5A 8DFN
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
30,407
现货
1 : ¥5.01000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.81335
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
5A（Ta），12.5A（Tc）
4.5V，10V
66 毫欧 @ 5A，10V
2.8V @ 250µA
12 nC @ 10 V
±20V
415 pF @ 50 V
-
3.1W（Ta），20.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
SOT-323
DMG1013UWQ-7
MOSFET P-CH 20V 820MA SOT323
Diodes Incorporated
17,011
现货
831,000
工厂
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.52304
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
820mA（Ta）
1.8V，4.5V
750 毫欧 @ 430mA，4.5V
1V @ 250µA
0.62 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
310mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
/ 2

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。