单 FET,MOSFET

结果 : 8
制造商
Nexperia USA Inc.onsemiTexas InstrumentsToshiba Semiconductor and StorageVishay Siliconix
系列
-NexFET™TrenchFET®TrenchMOS™U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
20 V30 V50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
220mA(Ta)238mA(Tj)320mA(Ta)500mA(Ta)630mA(Ta)760mA(Tj)800mA(Ta)12A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
1.5V,4.5V1.8V,4.5V2.5V,4.5V4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9 毫欧 @ 11A,10V235 毫欧 @ 800mA,4.5V360 毫欧 @ 350mA,4.5V396 毫欧 @ 600mA,4.5V700 毫欧 @ 600mA,4.5V1.6 欧姆 @ 300mA,10V3 欧姆 @ 10mA,4.5V3 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
900mV @ 250µA1V @ 1mA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.5V @ 100µA1.5V @ 250µA1.6V @ 250µA2.1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.75 nC @ 4.5 V0.8 nC @ 4.5 V1 nC @ 4.5 V2 nC @ 8 V2.1 nC @ 4.5 V2.4 nC @ 10 V7.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±6V±8V±10V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20 pF @ 5 V27 pF @ 25 V43 pF @ 10 V50 pF @ 10 V55 pF @ 10 V156 pF @ 5 V1370 pF @ 15 V
功率耗散(最大值)
150mW(Ta)240mW(Ta)260mW(Ta),830mW(Tc)300mW(Tj)301mW(Tj)350mW(Ta)2.6W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TA)-55°C ~ 150°C(TJ)150°C(TJ)
供应商器件封装
8-VSONP(3x3.3)SC-75,SOT-416SC-75ASOT-23-3SOT-323SSM
封装/外壳
8-PowerVDFNSC-70,SOT-323SC-75,SOT-416TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
8结果

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/ 8
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
4,904,883
现货
1 : ¥2.05000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.37218
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
800mA(Ta)
1.5V,4.5V
235 毫欧 @ 800mA,4.5V
1V @ 1mA
1 nC @ 4.5 V
±8V
55 pF @ 10 V
-
150mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SSM
SC-75,SOT-416
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
933,267
现货
1 : ¥2.30000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.39030
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
60 V
320mA(Ta)
10V
1.6 欧姆 @ 300mA,10V
1.5V @ 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
-
260mW(Ta),830mW(Tc)
-55°C ~ 150°C(TA)
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-323
SC-70,SOT-323
SOT-23-3
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
onsemi
169,157
现货
1 : ¥2.87000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.48925
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
50 V
220mA(Ta)
4.5V,10V
3 欧姆 @ 500mA,10V
1.6V @ 250µA
2.4 nC @ 10 V
±20V
27 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
Pkg 5868
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
160,597
现货
1 : ¥3.53000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.18631
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
500mA(Ta)
1.8V,4.5V
700 毫欧 @ 600mA,4.5V
900mV @ 250µA
0.75 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
SC−75-3_463
NTA4001NT1G
MOSFET N-CH 20V 238MA SC75
onsemi
25,646
现货
1 : ¥2.96000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.53265
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
238mA(Tj)
2.5V,4.5V
3 欧姆 @ 10mA,4.5V
1.5V @ 100µA
-
±10V
20 pF @ 5 V
-
300mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
SC−75-3_463
NTA4151PT1G
MOSFET P-CH 20V 760MA SC75
onsemi
159,990
现货
1 : ¥3.45000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.61447
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
760mA(Tj)
1.8V,4.5V
360 毫欧 @ 350mA,4.5V
1.2V @ 250µA
2.1 nC @ 4.5 V
±6V
156 pF @ 5 V
-
301mW(Tj)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
Pkg 5868
SI1012CR-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V SC75A
Vishay Siliconix
85,608
现货
1 : ¥3.69000
剪切带(CT)
3,000 : ¥0.81628
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
20 V
630mA(Ta)
1.5V,4.5V
396 毫欧 @ 600mA,4.5V
1V @ 250µA
2 nC @ 8 V
±8V
43 pF @ 10 V
-
240mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
SC-75A
SC-75,SOT-416
8-VDFN
CSD17551Q3A
MOSFET N-CH 30V 12A 8SON
Texas Instruments
4,798
现货
1 : ¥5.91000
剪切带(CT)
2,500 : ¥2.24490
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
30 V
12A(Tc)
4.5V,10V
9 毫欧 @ 11A,10V
2.1V @ 250µA
7.8 nC @ 4.5 V
±20V
1370 pF @ 15 V
-
2.6W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
表面贴装型
8-VSONP(3x3.3)
8-PowerVDFN
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。