单 FET,MOSFET

结果 : 11
制造商
Infineon Technologiesonsemi
系列
CoolMOS™CoolMOS™ C7CoolMOS™ CFD7CoolMOS™ P7FRFET®, SuperFET® IIISuperFET® III
产品状态
不适用于新设计在售
漏源电压(Vdss)
600 V650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
46A(Tc)75A(Tc)101A(Tc)109A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
17 毫欧 @ 58.2A,10V18 毫欧 @ 58.2A,10V19 毫欧 @ 58.3A,10V19.3 毫欧 @ 37.5A,10V24毫欧 @ 42.4A,10V25 毫欧 @ 37.5A,10V27.4 毫欧 @ 35A,10V45 毫欧 @ 24.9A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 1.25mA4V @ 14.3mA4V @ 2.03mA4V @ 2.91mA4V @ 2.92mA4.5V @ 2.91mA4.5V @ 3mA5V @ 3mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
93 nC @ 10 V164 nC @ 10 V215 nC @ 10 V225 nC @ 10 V236 nC @ 10 V240 nC @ 10 V251 nC @ 10 V282 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
4340 pF @ 400 V7144 pF @ 400 V7330 pF @ 400 V7630 pF @ 400 V9890 pF @ 400 V9900 pF @ 400 V9901 pF @ 400 V15993 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
227W(Tc)291W(Tc)416W(Tc)446W(Tc)595W(Tc)625W(Tc)
供应商器件封装
PG-TO247PG-TO247-3PG-TO247-3-41PG-TO247-4TO-247-3TO-247-4
封装/外壳
TO-247-3TO-247-4
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
11结果

显示
/ 11
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
AUIRFP4310Z BACK
IPW65R019C7FKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
Infineon Technologies
143
现货
1 : ¥176.91000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 58.3A,10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-4
IPZ65R019C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-4
Infineon Technologies
727
现货
1 : ¥182.08000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19 毫欧 @ 58.3A,10V
4V @ 2.92mA
215 nC @ 10 V
±20V
9900 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
MOSFETTO247
IPZ60R017C7XKSA1
MOSFET N-CH 600V 109A TO247-4
Infineon Technologies
200
现货
1 : ¥182.66000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
109A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 58.2A,10V
4V @ 2.91mA
240 nC @ 10 V
±20V
9890 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-4
TO-247-4
TO-247-3 AC EP
IPW60R024P7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 101A TO247-3-41
Infineon Technologies
374
现货
1 : ¥104.67000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
101A(Tc)
10V
24毫欧 @ 42.4A,10V
4V @ 2.03mA
164 nC @ 10 V
±20V
7144 pF @ 400 V
-
291W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
471
现货
1 : ¥176.50000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
109A(Tc)
10V
17 毫欧 @ 58.2A,10V
4V @ 2.91mA
240 nC @ 10 V
±20V
9890 pF @ 400 V
-
446W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3-41
TO-247-3
TO-247-3
NVHL025N65S3
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
onsemi
273
现货
1,800
工厂
1 : ¥253.83000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
25 毫欧 @ 37.5A,10V
4.5V @ 3mA
236 nC @ 10 V
±30V
7330 pF @ 400 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
汽车级
AEC-Q101
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL019N65S3H
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
onsemi
449
现货
1 : ¥141.86000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
-
19.3 毫欧 @ 37.5A,10V
4V @ 14.3mA
282 nC @ 10 V
±30V
15993 pF @ 400 V
-
625W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
TO-247-3
NTHL027N65S3HF
MOSFET N-CH 650V 75A TO247-3
onsemi
295
现货
1 : ¥168.70000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
27.4 毫欧 @ 35A,10V
5V @ 3mA
225 nC @ 10 V
±30V
7630 pF @ 400 V
-
595W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
NVH4L080N120SC1
NTH4LN019N65S3H
POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
onsemi
450
现货
450
工厂
1 : ¥206.38000
管件
管件
不适用于新设计
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
75A(Tc)
10V
19.3 毫欧 @ 37.5A,10V
4V @ 14.3mA
282 nC @ 10 V
±30V
15993 pF @ 400 V
-
625W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
TO-247-4
TO-247-4
0
现货
查看交期
1 : ¥161.31000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
600 V
101A(Tc)
10V
18 毫欧 @ 58.2A,10V
4.5V @ 2.91mA
251 nC @ 10 V
±20V
9901 pF @ 400 V
-
416W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247-3
TO-247-3
TO-247-4
IPZ65R045C7XKSA1
MOSFET N-CH 650V 46A TO247
Infineon Technologies
0
现货
查看交期
1 : ¥100.89000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
650 V
46A(Tc)
10V
45 毫欧 @ 24.9A,10V
4V @ 1.25mA
93 nC @ 10 V
±20V
4340 pF @ 400 V
-
227W(Tc)
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
-
通孔
PG-TO247
TO-247-4
显示
/ 11

单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。