单 FET，MOSFET

结果 : 15
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedMicro Commercial CoMicrochip TechnologyNexperia USA Inc.onsemiPanjit International Inc.Rohm SemiconductorTaiwan Semiconductor CorporationVishay Siliconix
系列
-PowerTrench®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计最后售卖在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V60 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
115mA（Ta）115mA（Tj）460mA（Ta）500mA（Ta）590mA（Ta）1.8A（Ta）2A（Ta）2.8A（Ta）2.8A（Tc）3A（Ta）3.6A（Ta）4.2A（Ta）5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V2.5V，10V2.5V，4.5V5V，10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V52 毫欧 @ 4.2A，4.5V54 毫欧 @ 3.6A，10V70 毫欧 @ 2A，4.5V74 毫欧 @ 2.8A，4.5V85 毫欧 @ 1.6A，4.5V92 毫欧 @ 2A，10V125 毫欧 @ 3A，4.5V130 毫欧 @ 2.8A，4.5V495 毫欧 @ 400mA，4.5V700 毫欧 @ 350mA，4.5V700 毫欧 @ 600mA，4.5V760 毫欧 @ 2.5A，10V7.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
700mV @ 250µA（典型值）900mV @ 250µA1V @ 250µA1.2V @ 250µA1.3V @ 250µA1.4V @ 250µA1.5V @ 250µA2V @ 250µA2.5V @ 250µA5.25V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.622 nC @ 4.5 V0.75 nC @ 4.5 V1.54 nC @ 8 V4.5 nC @ 4.5 V6 nC @ 4.5 V6.6 nC @ 4.5 V7 nC @ 4.5 V7.7 nC @ 4.5 V8.3 nC @ 10 V8.5 nC @ 4.5 V10 nC @ 4.5 V10.2 nC @ 4.5 V19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±6V±8V±12V±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
50 pF @ 25 V59.76 pF @ 16 V80 pF @ 10 V247 pF @ 30 V330 pF @ 25 V480 pF @ 15 V594.3 pF @ 10 V620 pF @ 10 V675 pF @ 10 V744 pF @ 20 V779 pF @ 10 V808 pF @ 15 V994 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
150mW（Ta）200mW（Ta）240mW（Ta）270mW（Ta）350mW（Ta）360mW（Ta）420mW（Ta）480mW（Ta）500mW（Ta）700mW（Ta）800mW（Ta）1.25W（Ta）1.4W（Ta）29W（Tc）
供应商器件封装
SC-75ASOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）SOT-23（TO-236AB）SOT-523TO-236ABTO-252
封装/外壳
3-SMD，SOT-23-3 变式SC-75，SOT-416SOT-523TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
15结果
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/ 15
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-523
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
Diodes Incorporated
401,181
现货
3,705,000
工厂
1 : ¥2.54000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.42327
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
460mA（Ta）
1.8V，4.5V
700 毫欧 @ 350mA，4.5V
1V @ 250µA
0.622 nC @ 4.5 V
±6V
59.76 pF @ 16 V
-
270mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT-23-3
AO3423
MOSFET P-CH 20V 2A SOT23-3L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
88,190
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68272
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
2.5V，10V
92 毫欧 @ 2A，10V
1.4V @ 250µA
6.6 nC @ 4.5 V
±12V
620 pF @ 10 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
3-SMD，SOT-23-3 变式
SOT-23-3
DMG2305UX-13
MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Diodes Incorporated
431,351
现货
3,480,000
工厂
1 : ¥3.20000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41722
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
52 毫欧 @ 4.2A，4.5V
900mV @ 250µA
10.2 nC @ 4.5 V
±8V
808 pF @ 15 V
-
1.4W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT 23-3
NTR4101PT1G
MOSFET P-CH 20V 1.8A SOT23-3
onsemi
74,950
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.71684
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
1.8A（Ta）
1.8V，4.5V
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
8.5 nC @ 4.5 V
±8V
675 pF @ 10 V
-
420mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-236AB
PMV65XP,215
MOSFET P-CH 20V 2.8A TO236AB
Nexperia USA Inc.
264,962
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.77622
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Ta）
1.8V，4.5V
74 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
7.7 nC @ 4.5 V
±12V
744 pF @ 20 V
-
480mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
Pkg 5868
SI1012R-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 500MA SC75A
Vishay Siliconix
160,840
现货
1 : ¥3.53000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.18631
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
500mA（Ta）
1.8V，4.5V
700 毫欧 @ 600mA，4.5V
900mV @ 250µA
0.75 nC @ 4.5 V
±6V
-
-
150mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SC-75A
SC-75，SOT-416
SOT-23-3
2N7002
MOSFET SOT23 N 60V 5OHM 150C
onsemi
72,126
现货
1 : ¥3.69000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.98619
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Ta）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
200mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
FDN340P
MOSFET P-CH 20V 2A SUPERSOT3
onsemi
93,101
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.01344
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2A（Ta）
2.5V，4.5V
70 毫欧 @ 2A，4.5V
1.5V @ 250µA
10 nC @ 4.5 V
±8V
779 pF @ 10 V
-
500mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
MFG_TO-236-3,-SC-59,-SOT-23-3
TSM2301ACX RFG
MOSFET P-CHANNEL 20V 2.8A SOT23
Taiwan Semiconductor Corporation
194,045
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.43335
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
最后售卖
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
2.8A（Tc）
2.5V，4.5V
130 毫欧 @ 2.8A，4.5V
1V @ 250µA
4.5 nC @ 4.5 V
±12V
480 pF @ 15 V
-
700mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
5,755
现货
1 : ¥2.87000
剪切带（CT）
-
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
-
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
2.5V，10V
54 毫欧 @ 3.6A，10V
1.3V @ 250µA
19 nC @ 10 V
±12V
994 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-523
DMP21D0UT-7
MOSFET P-CH 20V 590MA SOT523
Diodes Incorporated
292,526
现货
1,116,000
工厂
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.68272
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
590mA（Ta）
1.8V，4.5V
495 毫欧 @ 400mA，4.5V
700mV @ 250µA（典型值）
1.54 nC @ 8 V
±8V
80 pF @ 10 V
-
240mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-523
SOT-523
SOT 23
SI2310-TP
MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Micro Commercial Co
77,250
现货
1 : ¥3.12000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.83982
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
3A（Ta）
10V
125 毫欧 @ 3A，4.5V
2V @ 250µA
6 nC @ 4.5 V
±20V
247 pF @ 30 V
-
350mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMN2075U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
39,303
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59042
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
2.5V，4.5V
38 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
7 nC @ 4.5 V
±8V
594.3 pF @ 10 V
-
800mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT23 PKG
2N7002-G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Microchip Technology
12,519
现货
1 : ¥5.25000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.02258
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
115mA（Tj）
5V，10V
7.5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
-
±30V
50 pF @ 25 V
-
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23（TO-236AB）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
RB098BM-40FNSTL
RD3T050CNTL1
MOSFET N-CH 200V 5A TO252
Rohm Semiconductor
2,014
现货
1 : ¥10.43000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.32340
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
200 V
5A（Tc）
10V
760 毫欧 @ 2.5A，10V
5.25V @ 1mA
8.3 nC @ 10 V
±30V
330 pF @ 25 V
-
29W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
显示
/ 15

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。