单 FET，MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedPanjit International Inc.Vishay Siliconix
系列
-TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）3.5A（Tc）3.6A（Ta）5.8A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
28 毫欧 @ 5.8A，10V73 毫欧 @ 3.6A，10V88 毫欧 @ 3.5A，10V95 毫欧 @ 3.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA2.1V @ 250µA3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
3.1 nC @ 4.5 V6.2 nC @ 4.5 V9.2 nC @ 10 V10 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
254 pF @ 25 V340 pF @ 15 V386 pF @ 15 V417 pF @ 15 V
功率耗散（最大值）
650mW（Ta）720mW（Ta）1.1W（Ta），1.8W（Tc）1.25W（Ta）
供应商器件封装
SOT-23SOT-23-3SOT-23-3（TO-236）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果
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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMN3404L-7
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23-3
Diodes Incorporated
21,017
现货
543,000
工厂
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.59843
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
5.8A（Ta）
3V，10V
28 毫欧 @ 5.8A，10V
2V @ 250µA
9.2 nC @ 10 V
±20V
386 pF @ 15 V
-
720mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3125L-7
MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT23
Diodes Incorporated
524,122
现货
279,000
工厂
1 : ¥3.86000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.57758
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4.5V，10V
95 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
3.1 nC @ 4.5 V
±20V
254 pF @ 25 V
-
650mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
SI2307CDS-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 3.5A SOT23-3
Vishay Siliconix
89,598
现货
1 : ¥4.02000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.34529
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.5A（Tc）
4.5V，10V
88 毫欧 @ 3.5A，10V
3V @ 250µA
6.2 nC @ 4.5 V
±20V
340 pF @ 15 V
-
1.1W（Ta），1.8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
-
表面贴装型
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
138,330
现货
1 : ¥3.78000
剪切带（CT）
-
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
-
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.6A（Ta）
4.5V，10V
73 毫欧 @ 3.6A，10V
2.1V @ 250µA
10 nC @ 10 V
±20V
417 pF @ 15 V
-
1.25W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。