单 FET，MOSFET

结果 : 2
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
漏源电压（Vdss）
30 V55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.4A（Ta）7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.5V，8V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
57 毫欧 @ 3.4A，8V80 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.25V @ 250µA4V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 4.5 V12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±12V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
296 pF @ 15 V500 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）
590mW（Ta），5.6W（Tc）8W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-223TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-261-4，TO-261AA
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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/ 2
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
等级
资质
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT223
BUK7880-55A/CUX
MOSFET N-CH 55V 7A SOT223
Nexperia USA Inc.
24,133
现货
1 : ¥4.27000
剪切带（CT）
1,000 : ¥1.60158
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
55 V
7A（Tc）
10V
80 毫欧 @ 10A，10V
4V @ 1mA
12 nC @ 10 V
±20V
500 pF @ 25 V
-
8W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
TO-236AB
PMV50XNEAR
PMV50XNEA - 30 V, N-CHANNEL TREN
Nexperia USA Inc.
19,154
现货
1 : ¥3.37000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.73768
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.4A（Ta）
2.5V，8V
57 毫欧 @ 3.4A，8V
1.25V @ 250µA
5 nC @ 4.5 V
±12V
296 pF @ 15 V
-
590mW（Ta），5.6W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
汽车级
AEC-Q101
表面贴装型
TO-236AB
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。