单 FET,MOSFET

结果 : 4
制造商
Diodes IncorporatedInfineon TechnologiesLittelfuse Inc.
系列
-HEXFET®OptiMOS™TrenchP™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带(CT)卷带(TR)管件
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压(Vdss)
40 V150 V200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35mA(Ta)6.2A(Ta)34A(Tc)44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 34A,10V41 毫欧 @ 6.2A,10V65 毫欧 @ 500mA,10V80 欧姆 @ 50mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA3.5V @ 1mA4V @ 250µA4V @ 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
29 nC @ 10 V80 nC @ 10 V175 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±15V±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
50 pF @ 25 V2350 pF @ 100 V3220 pF @ 25 V13400 pF @ 25 V
功率耗散(最大值)
350mW(Ta)2.5W(Ta)136W(Tc)298W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型通孔
供应商器件封装
8-SOPG-TO220-3SOT-23-3TO-220-3
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)TO-220-3TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
4结果

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/ 4
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压(Vdss)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
Vgs(最大值)
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
FET 功能
功率耗散(最大值)
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
ZVP1320FTA
MOSFET P-CH 200V 35MA SOT23-3
Diodes Incorporated
51,524
现货
423,000
工厂
1 : ¥4.60000
剪切带(CT)
3,000 : ¥1.55075
卷带(TR)
-
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
35mA(Ta)
10V
80 欧姆 @ 50mA,10V
3.5V @ 1mA
-
±20V
50 pF @ 25 V
-
350mW(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
TO-220-3
IPP320N20N3GXKSA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO220-3
Infineon Technologies
4,658
现货
1 : ¥28.49000
管件
管件
在售
N 通道
MOSFET(金属氧化物)
200 V
34A(Tc)
10V
32 毫欧 @ 34A,10V
4V @ 90µA
29 nC @ 10 V
±20V
2350 pF @ 100 V
-
136W(Tc)
-55°C ~ 175°C(TJ)
通孔
PG-TO220-3
TO-220-3
IRF7241TRPBF
MOSFET P-CH 40V 6.2A 8SO
Infineon Technologies
15,169
现货
1 : ¥7.63000
剪切带(CT)
4,000 : ¥3.15541
卷带(TR)
卷带(TR)
剪切带(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
40 V
6.2A(Ta)
4.5V,10V
41 毫欧 @ 6.2A,10V
3V @ 250µA
80 nC @ 10 V
±20V
3220 pF @ 25 V
-
2.5W(Ta)
-55°C ~ 150°C(TJ)
表面贴装型
8-SO
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
TO-220-3
IXTP44P15T
MOSFET P-CH 150V 44A TO220AB
Littelfuse Inc.
295
现货
1 : ¥49.91000
管件
管件
在售
P 通道
MOSFET(金属氧化物)
150 V
44A(Tc)
10V
65 毫欧 @ 500mA,10V
4V @ 250µA
175 nC @ 10 V
±15V
13400 pF @ 25 V
-
298W(Tc)
-
通孔
TO-220-3
TO-220-3
显示
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单 FET,MOSFET


分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。