单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedTexas Instruments
系列
-NexFET™
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
50 V60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
130mA（Ta）260mA（Ta）17A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.9 毫欧 @ 18A，10V3 欧姆 @ 115mA，10V10 欧姆 @ 100mA，5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA2V @ 250µA2.3V @ 250µA
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
25 pF @ 25 V45 pF @ 25 V2750 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
300mW（Ta）430mW（Ta）3.2W（Ta），116W（Tc）
供应商器件封装
8-VSONP（5x6）SOT-23-3X1-DFN1006-3
封装/外壳
3-UFDFN8-PowerTDFNTO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
442,197
现货
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.33716
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
50 V
130mA（Ta）
5V
10 欧姆 @ 100mA，5V
2V @ 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
-
300mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
8-Power TDFN
CSD18533Q5A
MOSFET N-CH 60V 17A/100A 8VSON
Texas Instruments
9,872
现货
1 : ¥11.90000
剪切带（CT）
2,500 : ¥4.92324
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
17A（Ta），100A（Tc）
4.5V，10V
5.9 毫欧 @ 18A，10V
2.3V @ 250µA
36 nC @ 10 V
±20V
2750 pF @ 30 V
-
3.2W（Ta），116W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-VSONP（5x6）
8-PowerTDFN
X2-DFN1006-3
DMN65D8LFB-7B
MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Diodes Incorporated
613,157
现货
360,000
工厂
1 : ¥1.89000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.20523
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
260mA（Ta）
5V，10V
3 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
-
±20V
25 pF @ 25 V
-
430mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
X1-DFN1006-3
3-UFDFN
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。