单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.STMicroelectronics
系列
-DeepGATE™, STripFET™ VISTripFET™ H6
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
FET 类型
N 通道P 通道
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A（Tc）11A（Tc）24A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.5 毫欧 @ 5.5A，10V16.5 毫欧 @ 12A，10V30 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250µA（最小）2.3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 4.5 V17 nC @ 4.5 V34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1180 pF @ 15 V1450 pF @ 25 V1690 pF @ 24 V
功率耗散（最大值）
2W（Ta），50W（Tc）2.9W（Tc）4.1W（Ta），24W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
8-DFN-EP（3x3）PowerFlat™（3.3x3.3）
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
259,253
现货
1 : ¥3.61000
剪切带（CT）
5,000 : ¥1.16080
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
24A（Tc）
4.5V，10V
16.5 毫欧 @ 12A，10V
2.3V @ 250µA
34 nC @ 10 V
±25V
1180 pF @ 15 V
-
4.1W（Ta），24W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
8-DFN-EP（3x3）
8-PowerVDFN
8PowerVDFN
STL6P3LLH6
MOSFET P-CH 30V 6A POWERFLAT
STMicroelectronics
5,809
现货
1 : ¥9.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥3.84014
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
6A（Tc）
4.5V，10V
30 毫欧 @ 3A，10V
1V @ 250µA（最小）
12 nC @ 4.5 V
±20V
1450 pF @ 25 V
-
2.9W（Tc）
150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
8-PowerVDFN
STL11N3LLH6
MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
STMicroelectronics
2,110
现货
1 : ¥11.49000
剪切带（CT）
3,000 : ¥4.75236
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
11A（Tc）
4.5V，10V
7.5 毫欧 @ 5.5A，10V
1V @ 250µA（最小）
17 nC @ 4.5 V
±20V
1690 pF @ 24 V
-
2W（Ta），50W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PowerFlat™（3.3x3.3）
8-PowerVDFN
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。