单 FET，MOSFET

结果 : 2
制造商
Infineon TechnologiesVishay Siliconix
系列
SIPMOS®TrenchFET®
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
170mA（Ta）40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
0V，10V6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 15A，10V6 欧姆 @ 170mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.8V @ 50µA3.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
2.8 nC @ 7 V62 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
68 pF @ 25 V3345 pF @ 25 V
FET 功能
-耗尽模式
功率耗散（最大值）
360mW（Ta）107W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）-55°C ~ 175°C（TJ）
供应商器件封装
PG-SOT23TO-263（D2PAK）
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
2结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
BSS169H6327XTSA1
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Infineon Technologies
104,906
现货
1 : ¥3.28000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.11665
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
170mA（Ta）
0V，10V
6 欧姆 @ 170mA，10V
1.8V @ 50µA
2.8 nC @ 7 V
±20V
68 pF @ 25 V
耗尽模式
360mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
PG-SOT23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TO-263 (D2Pak)
SQM40N10-30_GE3
MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Vishay Siliconix
624
现货
1 : ¥12.48000
剪切带（CT）
800 : ¥7.45046
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
100 V
40A（Tc）
6V，10V
30 毫欧 @ 15A，10V
3.5V @ 250µA
62 nC @ 10 V
±20V
3345 pF @ 25 V
-
107W（Tc）
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装型
TO-263（D2PAK）
TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。