单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Diodes IncorporatedRohm Semiconductor
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计在售
FET 类型
N 通道P 通道
漏源电压（Vdss）
20 V30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.5A（Ta）3.8A（Ta）4.2A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.8V，4.5V4V，10V4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
25 毫欧 @ 8.2A，4.5V65 毫欧 @ 3.8A，10V70 毫欧 @ 2.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
900mV @ 250µA2.1V @ 250µA2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.1 nC @ 5 V5.2 nC @ 4.5 V9.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±8V±20V20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
165 pF @ 10 V563 pF @ 25 V829.9 pF @ 10 V
功率耗散（最大值）
780mW（Ta）1W（Ta）1.08W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3TSMT3
封装/外壳
SC-96TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
显示
/ 3
比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
SOT-23-3
DMG3414U-7
MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23-3
Diodes Incorporated
170,708
现货
1 : ¥2.71000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.07755
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
20 V
4.2A（Ta）
1.8V，4.5V
25 毫欧 @ 8.2A，4.5V
900mV @ 250µA
9.6 nC @ 4.5 V
±8V
829.9 pF @ 10 V
-
780mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
DMP3099L-13
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23
Diodes Incorporated
9,600
现货
1 : ¥2.79000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.41792
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
P 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
3.8A（Ta）
4.5V，10V
65 毫欧 @ 3.8A，10V
2.1V @ 250µA
5.2 nC @ 4.5 V
±20V
563 pF @ 25 V
-
1.08W（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
TSMT3
RSR025N03TL
MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
Rohm Semiconductor
228
现货
1 : ¥4.93000
剪切带（CT）
3,000 : ¥1.86693
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
不适用于新设计
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
30 V
2.5A（Ta）
4V，10V
70 毫欧 @ 2.5A，10V
2.5V @ 1mA
4.1 nC @ 5 V
20V
165 pF @ 10 V
-
1W（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
TSMT3
SC-96
显示
/ 3

单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。