单 FET，MOSFET

结果 : 3
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Diodes IncorporatedToshiba Semiconductor and Storage
系列
-U-MOSVII-H
包装
Digi-Reel® 得捷定制卷带剪切带（CT）卷带（TR）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
200mA（Ta）240mA（Ta）13A（Ta），40A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
18 毫欧 @ 20A，10V3.9 欧姆 @ 100mA，10V5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.1V @ 250µA2.5V @ 250µA2.7V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.35 nC @ 4.5 V0.82 nC @ 10 V68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
17 pF @ 10 V22 pF @ 25 V1920 pF @ 30 V
功率耗散（最大值）
320mW（Ta）6.2W（Ta），60W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）150°C（TJ）
供应商器件封装
SOT-23-3SOT-323TO-252（DPAK）
封装/外壳
SC-70，SOT-323TO-236-3，SC-59，SOT-23-3TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
库存选项
环境选项
媒体
市场产品
3结果
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比较
制造商零件编号
现有数量
价格
系列
包装
产品状态
FET 类型
技术
漏源电压（Vdss）
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
Vgs（最大值）
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
FET 功能
功率耗散（最大值）
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
TO-252, (D-Pak)
AOD442G
MOSFET N-CH 60V 13A/40A TO252
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
112,199
现货
1 : ¥5.99000
剪切带（CT）
2,500 : ¥2.29218
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
13A（Ta），40A（Tc）
4.5V，10V
18 毫欧 @ 20A，10V
2.7V @ 250µA
68 nC @ 10 V
±20V
1920 pF @ 30 V
-
6.2W（Ta），60W（Tc）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
TO-252（DPAK）
TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
534,814
现货
1 : ¥1.15000
剪切带（CT）
3,000 : ¥0.19992
卷带（TR）
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
200mA（Ta）
4.5V，10V
3.9 欧姆 @ 100mA，10V
2.1V @ 250µA
0.35 nC @ 4.5 V
±20V
17 pF @ 10 V
-
320mW（Ta）
150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-323
DMN67D8LW-13
MOSFET N-CH 60V 240MA SOT323
Diodes Incorporated
325,185
现货
30,000
工厂
1 : ¥1.97000
剪切带（CT）
10,000 : ¥0.25653
卷带（TR）
-
卷带（TR）
剪切带（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷带
在售
N 通道
MOSFET（金属氧化物）
60 V
240mA（Ta）
5V，10V
5 欧姆 @ 500mA，10V
2.5V @ 250µA
0.82 nC @ 10 V
±30V
22 pF @ 25 V
-
320mW（Ta）
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装型
SOT-323
SC-70，SOT-323
显示
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单 FET，MOSFET

分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。